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钳位二极管原理,钳位二极管和稳压二极管-KIA MOS管
钳位是将某点的电位进行限制，使其不大于或者不小于参考端的值，该点的电位是可变的，是利用二极管的正向导通特性来进行钳位。稳压是将某点的电位稳定在某个恒定的值，电位不可改变，是利用二极管的反向击穿特性来进行稳压。www.kiaic.com/article/detail/4694.html 2023-12-29
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IRF9410参数,IRF9410TRPBF,保护板专用MOS管4603A-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS场效应管KNE4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）典型值=16mΩ@VGS=10V；具有超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，满足RoHs和绿色产品的要求，确保锂电池保护板的性能稳定可靠。www.kiaic.com/article/detail/4693.html 2023-12-28
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k3878场效应管参数,k3878场效应管引脚图-KIA MOS管
K3878是一款N通道金属氧化物场效应管，带保护二极管的d和s；带保护的g、s双向二极管；其参数为耐压：900V、电流：9A。www.kiaic.com/article/detail/4692.html 2023-12-28
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绝缘栅型场效应管,绝缘栅型场效应管分类-KIA MOS管
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。绝缘栅型场效应管（JGFET）因栅极与其它电极完全绝缘而得名。www.kiaic.com/article/detail/4691.html 2023-12-28
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逆变器mos管选择,KNX2404A场效应管参数,190A 40V-KIA MOS管
逆变器专用mos管KNX2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（开）典型值=2.2mΩ@VGS=10V；具有低Rds开启，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，高雪崩电流，提供无铅和绿色设备，确保逆变器的性能稳定可靠。www.kiaic.com/article/detail/4690.html 2023-12-27
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mos管栅极电流,MOS管栅极驱动电流计算-KIA MOS管
MOS管栅极电流是在MOS管中，从栅极输入端进入的电流。MOS栅极电流包括漏极电流（drain+current）和栅极漏极电流（gate-drain current）。www.kiaic.com/article/detail/4689.html 2023-12-27
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MOS管驱动直流电机电路设计图文分享-KIA MOS管
参与普通的逻辑控制，和三极管一样作为开关管使用，电流可达数安培，如图1为MOS管驱动直流电机电路。R6下拉电阻是必须的（取值一般10--20k），原理和NPN三极管下拉电阻一样。www.kiaic.com/article/detail/4688.html 2023-12-27
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irfp260场效应管参数,irfp260代换,逆变器MOS管-KIA MOS管
KNX9120A是一款性能出色的场效应管，能够替代irfp260型号使用，KNX9120A采用专有的新平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（开）典型值=50mΩ@VGS=10V；具有低门电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。www.kiaic.com/article/detail/4687.html 2023-12-26
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ams1117-5.0参数,ams1117-5.0原理图-KIA MOS管
AMS1117-5.0是一种线性稳压器，其工作原理是将输入电压稳定在5V输出。因此，将12V的输入电压通过AMS1117-5.0可以得到稳定的5V输出电压。www.kiaic.com/article/detail/4686.html 2023-12-26
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mos管漏电原因分析图文详解-KIA MOS管
1、反偏结泄漏电流，junction leakage（/junction）结漏泄漏电流为：当晶体管关断时，通过反偏二极管从源极或漏极到衬底或者阱到衬底；这种反偏结泄露电流主要由两部分组成：（1）由耗尽区边缘的扩散和漂移电流产生；（2）由耗尽区中的产生的电子-空穴对形成；...www.kiaic.com/article/detail/4685.html 2023-12-26
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低压MOS管KNX8606B,35A 60V,超低内阻场效应管-KIA MOS管
KNX8606B场效应管漏源击穿电压高达60V，漏极电流35A，RDS（开）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低栅极电荷（典型33nC）、高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，高效率低损耗。www.kiaic.com/article/detail/4684.html 2023-12-25
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mos管漏电流产生的原因及如何解决-KIA MOS管
MOS晶体管中的漏极/源极和基板结在晶体管工作期间反向偏置。这会导致器件中出现反向偏置漏电流。这种漏电流可能是由于反向偏置区域中少数载流子的漂移/扩散以及雪崩效应引起的电子-空穴对的产生。pn结反向偏置漏电流取决于掺杂浓度和结面积。www.kiaic.com/article/detail/4683.html 2023-12-25
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数模转换电路图,数模转换电路原理-KIA MOS管
数模转换器，即D/A转换器，简称DAC,是将数字数据转换为模拟信号的设备。数模转换就是将离散的数字量转换为连接变化的模拟量，实现该功能的电路或器件称为数模转换电路，通常称为D/A转换器或DAC。www.kiaic.com/article/detail/4682.html 2023-12-25
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irf730场效应管参数,irf730参数及代换,PDF中文资料-KIA MOS管
irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N沟道增强型硅栅极功率MOSFET替代，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关电源、逆变器、螺线管、电机驱动器、开关转换器。www.kiaic.com/article/detail/4681.html 2023-12-22