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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5778 个

  • 保护板mos管,30v50a,​dfn3*3,​KNG3703A参数资料-KIA MOS管

    锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V,漏极电流50A,采用先进的沟槽工艺技术,高密度电池设计,具有超低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ,低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,完全表征雪崩电压和电流,确保高效稳定的开关性能;适用于同步降压变换器、DC...

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    www.kiaic.com/article/detail/5381.html         2024-12-13

  • 电源转换器电路,dcdc转换器电路-KIA MOS管

    二极管 D1 工作在正向偏置状态,这反过来又给电容器 C2 充电,直到达到输入电源电压的峰值,此时电容器 C2 就像串联在电源上的电池一样旋转。在相同的时间段内,由于二极管 D1 的作用,二极管 D2 开始导通,电容器 C3 开始充电。

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    www.kiaic.com/article/detail/5380.html         2024-12-13

  • ​大功率开关电源电路,原理图分享-KIA MOS管

    电源采用PM4020A驱动模块设计,具体的器件和变压器可参考电路图。注意设计时候应该考虑 PM4020A驱动模块应和四个IRFP460尽量靠近。

    www.kiaic.com/article/detail/5379.html         2024-12-13

  • 逆变器mos管150a40v,TO-220,​KNP2804A参数规格书-KIA MOS管

    逆变器专用MOS管KNX2804A漏源击穿电压40V,漏极电流150A,采用专有新型沟槽技术,极低的导通电阻RDS(ON)3.0mΩ,以及低栅极电荷,最大限度地减少导通损耗,最小化开关损耗;快速恢复体二极管,实现高效稳定的电路控制;适用于锂电池保护板、DCDC转换器、同步...

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    www.kiaic.com/article/detail/5378.html         2024-12-12

  • MOS管栅极串接电阻,栅极串联电阻作用-KIA MOS管

    一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感,在电压突变的情况下可能和栅极电容形成LC振荡,当它们之间串上R17后,可增大阻尼而减小振荡效果。

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    www.kiaic.com/article/detail/5376.html         2024-12-12

  • 逆变器mos管,100a40vmos管,KNP3204A场效应管参数资料-KIA MOS管

    逆变器专用MOS管KNP3204A漏源击穿电压40V, 漏极电流100A ,采用专有新型沟槽技术,超低导通电阻RDS(导通)4mΩ,低栅极电荷,能够最大限度地减少导通损耗,高效率低损耗;快速恢复体二极管,稳定可靠;适用于DCDC转换器、逆变器、电源应用,封装形式:TO-220。...

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    www.kiaic.com/article/detail/5375.html         2024-12-11

  • ao3407参数,ao3407场效应管参数,KIA3407代换资料-KIA MOS管

    ao3407场效应管代换型号KIA3407漏源击穿电压-30V, 漏极电流-4.1A ,采用先进的沟槽技术,超低导通电阻RDS(导通)和低栅极电荷,能够最大限度地减少导通损耗,提高效率;产品无铅绿色环保(符合ROHS和Sony259规范);适用于负载开关或PWM应用,性能出色稳定;封...

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    www.kiaic.com/article/detail/5372.html         2024-12-10

  • 串联电压规律,公式,串联电路电压规律-KIA MOS管

    串联电路中流过每个电阻的电流相等。因为直流电路中同一支路的各个截面有相同的电流强度。串联电路的总电压等于各串联部分电压之和。

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    www.kiaic.com/article/detail/5371.html         2024-12-10

  • MOS管误导通,防止MOS管误导通方法-KIA MOS管

    当MOS管从导通状态突然切换到关断状态时,MOS管的源极和漏极之间会产生陡峭的dVDS/dt。产生的电流经米勒电容耦合到栅极,导致在栅极电阻中产生电压降,从而提高栅极电压,产生较大的电压尖峰。

    www.kiaic.com/article/detail/5370.html         2024-12-10

  • 100vmos管,17串锂电池保护板,knb2910a参数引脚图-KIA MOS管

    knb2910a场效应管漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ,采用超高密度电池设计,?超低导通电阻?RDS(ON)值5mΩ,最大限度地减少导通损耗,最小化开关损耗;100%雪崩测试,可靠坚固,无铅环保器件(符合RoHS标准);专用于17串-21串锂电池保护板、同步整流、无刷电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5369.html         2024-12-09

  • 正弦波发生电路,正弦波发生电路原理图-KIA MOS管

    不需要外加激励信号,电路就能产生输出信号的电路称为信号发生电路或波形振荡器。其中能产生正弦波输出信号的电路称为正弦波发生电路或正弦振荡器。正弦波发生电路能产生正弦波输出,它是在放大电路的基础上加上正反馈而形成的,它是各类波形发生器和信号源的核...

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    www.kiaic.com/article/detail/5368.html         2024-12-09

  • 运放积分电路,运放积分电路原理详解-KIA MOS管

    积分电路由一个电阻R和一个电容C构成。在实际应用中,积分电路通常包含运算放大器、电容、电阻等元件。运放将输入信号放大并传递给电容进行积分。积分电路的输出是输入信号的积分。在积分电路中,电容的电压随时间的变化率与输入信号成正比。

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    www.kiaic.com/article/detail/5367.html         2024-12-09

  • 01t13场效应管参数,72V控制器mos管,KIA2910N代换-KIA MOS管

    NCEP01T13场效应管代换型号KIA2910A漏源击穿电压100V,漏极电流130A,采用超高密电池设计,低导通电阻RDS(ON) 6 mΩ,优秀的高频开关性能,导通和开关功率损耗最小化;100%雪崩测试,稳定可靠;无铅绿色环保(符合RoHS标准);适用于高速开关、锂电池保护板、控...

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    www.kiaic.com/article/detail/5366.html         2024-12-06

  • 漏极开路门电路符号原理,OD门-KIA MOS管

    OD门的输出端可以通过上拉电阻或上拉电源拉高,从而实现高低电平转换。与OC门(Open Collector Gate)类似,OD门的输出端也可以被多个门并联连接,形成开关电路,控制外部器件的工作。OD门适用于既可以输出高电平又可以输出低电平的应用场合,如数字信号的放大...

    www.kiaic.com/article/detail/5365.html         2024-12-06

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