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KIA2803A场效应管采用沟槽加工工艺设计，实现极低的导通电阻，漏源击穿电压30V，漏极电流150A，RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），KIA2803A能够替代nce30h15k型号进行使用，封装形式：TO-220，TO-263。

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www.kiaic.com/article/detail/4705.html         2024-01-08