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MOS管-5A-30V KPE4403A2参数 原厂免费送样-KIA MOS管
MOS管-5A-30V KPE4403A2产品概述该KPE4403A2是高密度沟槽双P沟道MOSFET，提供了优异的性能。大多数同步降压转换器应用中的RDSON和栅极充电。KNE4403A2符合环保和绿色产品要求。www.kiaic.com/article/detail/3204.html 2021-11-26
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MOS管半桥电路-关键参数计算方法-KIA MOS管
MOS管选型需要满足几个要求：1.足够的漏-源电压 VDS2.足够的漏极电流 ID3.快速开关的能力和开通、关断延时4.低的导通电阻Rds(on)www.kiaic.com/article/detail/3203.html 2021-11-26
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MOS集成逻辑门电路|图文并茂-KIA MOS管
(1)nmos反相器设电压vdd = 10v，开启电压vt1 = vt2 = 2v1、a输入高电平vih = 8vt1、t2均导通，输出为低电平vol ≈0.3v2、a输入低电平v il = 0.3v时，t1截止t2导通，电路输出高电平voh = vdd - vt2 = 8v。www.kiaic.com/article/detail/3201.html 2021-11-26
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比较-半导体制冷和压缩机制冷哪个好？-KIA MOS管
半导体制冷器是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器。用导体连接两块不同的金属，接通直流电，则一个接点处温度降低，另一个接点处温度升高。若将电源反接，则接点处的温度相反变化。www.kiaic.com/article/detail/3200.html 2021-11-25
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MOSFET和IGBT的工作区命名详解-KIA MOS管
①正向阻断区（也称为截止区，夹断区）：当栅极电压Vgs＜Vgs(th)时，MOSFET沟道被夹断，漏极电流Id=0，管子不工作。www.kiaic.com/article/detail/3199.html 2021-11-25
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LED驱动电源的拓扑结构分析-KIA MOS管
采用AC-DC电源的LED照明应用中，电源转换的构建模块包括二极管、开关(FET)、电感及电容及电阻等分立元件用于执行各自功能，而脉宽调制(PWM)稳压器用于控制电源转换。www.kiaic.com/article/detail/3198.html 2021-11-25
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开关电源关于并联均流知识详解-KIA MOS管
常用几种均流技术的工作原理1、改变单元输出内阻法(斜率控制法、电压下垂式、输出特性斜率控制式)实现方式：·UO固定，改变斜率·斜率固定，改变输出电压www.kiaic.com/article/detail/3197.html 2021-11-24
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实用的电容降压LED驱动电路讲解分析-KIA MOS管
图一为一个实际的采用电容降压的LED驱动电路﹕请注意，大部分应用电路中没有连接压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管，建议连接上，因压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管能在电压突变瞬间(如雷电﹑大用电设备起动等 )有效地将突变电流泄放，从而保护二级关和其它晶体管，它...www.kiaic.com/article/detail/3196.html 2021-11-24
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步进电机H桥驱动电路设计分析-KIA MOS管
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电...www.kiaic.com/article/detail/3195.html 2021-11-24
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MOS管饱和区沟道夹断了为什么还有电流？-KIA MOS管
MOS管就像开关。栅极(G)决定源极(S)到漏极(D)是通还是不通。以NMOS为例，图1中绿色代表（N型）富电子区域，黄色代表（P型）富空穴区域。P型和N型交界处会有一层耗尽层分隔（也叫空间电荷区，如图中白色分界所示）。www.kiaic.com/article/detail/3194.html 2021-11-23
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MOS管KND3502A 70A20V TO-252 参数资料 原厂直销-KIA MOS管
MOS管KND3502A 70A20V产品概述KNX3502A采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。该设备适用于多种应用。MOS管KND3502A 70A20V产品特性RDS(on)=7mΩ(typ.)@VDS=4.5V高功率和电流处理能力无铅产品www.kiaic.com/article/detail/3193.html 2021-11-23
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OCL电路的组成及工作原理分析-KIA MOS管
为了消除基本OCL电路所产生交越失真，应当设置合适的静态工作点，使两只放大晶体三极管均工作在临界导通或微导通状态。能够消除交越失真的OCL电路如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3192.html 2021-11-23
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(GTR)电力晶体管驱动电路和缓冲电路分析-KIA MOS管
驱动电路性能不好，轻则使GTR不能正常工作，重则导致GTR损坏。其特性是决定电流上升率和动态饱和压降大小的重要因素之一。增加基极驱动电流使电流上升率增大，使GTR饱和压降降低，从而减小开通损耗。过大的驱动电流，使GTR饱和过深，退出饱和时间越长，对开关过...www.kiaic.com/article/detail/3191.html 2021-11-22
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MOS管如何快速开启和关闭？驱动电路分析-KIA MOS管
一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。www.kiaic.com/article/detail/3190.html 2021-11-22