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自动增益控制-AGC-结型场效应管-KIA MOS管
自动增益控制线路，简称AGC线路，A即AUTO（自动），G即GAIN（增益），C即CONTROL（控制）。AGC是输出限幅装置的一种，是利用线性放大和压缩放大的有效组合对输出信号进行调整，在输入信号幅度变化较大时，能使输出信号幅度稳定不变或限制在一个很小范围内变化。...www.kiaic.com/article/detail/2809.html 2021-05-20
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绝缘栅场效应管分析图解-KIA MOS管
绝缘栅场效应管图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。www.kiaic.com/article/detail/2808.html 2021-05-20
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80V160A低压MOS管 KNX2708A 现货直销 国产品牌-KIA MOS管
80V160A低压MOS管 KNX2708A产品特点1、专有新型沟槽技术2、RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V3、低栅电荷最小开关损耗4、快速恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/2807.html 2021-05-19
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什么是电源ic？电源IC作用、选购详解-KIA MOS管
电源ic是指开关电源的脉宽控制集成，电源ic靠它来调整输出电压电流的稳定，生活中需要用到它的电器有电视机，电冰箱等等。随着电子技术的发展, 尤其是目前便携式产品流行和节能环保的提倡, 电源ic发挥的作用越来越大。www.kiaic.com/article/detail/2806.html 2021-05-19
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场效应管电机驱动图文分享-KIA MOS管
场效应管电机驱动-H桥原理所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。场效应管电机驱动：下图就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q3组成,所以它叫P-NMOS管H桥。www.kiaic.com/article/detail/2805.html 2021-05-19
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80V150A MOS管KNX2808A原厂直销 价格优势-KIA MOS管
80V?150A MOS管?KNX2808A产品特点RDS(on)=4.0mΩ（typ）.@VGS=10V100%雪崩测试可靠、坚固耐用无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）www.kiaic.com/article/detail/2804.html 2021-05-18
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关于Cool MOS的优缺点详细解析-KIA MOS管
对于常规VDMOS器件结构，Rdson 与BV这一对矛盾关系,要想提高BV ,都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 参杂浓度减小了,电阻必然变大，Rdson就大了。Rdson直接决定着MOS单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS ,两者矛盾不可调和, 这就...www.kiaic.com/article/detail/2803.html 2021-05-18
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场效应管时间继电器工作原理解析-KIA MOS管
场效应管时间继电器如何工作？场效应管具有极高的输入阻抗，导通时从电源输入的电流几乎可以忽略。因此允许采用很大的充电电阻，有利于比延时的提高。（1）电路一JSB-1型时间继电器电路如图3-9所示。它采用3C01型场效应管（P沟道增强型）作比较环节。该定时器最...www.kiaic.com/article/detail/2802.html 2021-05-18
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IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75 80V80A参数规格-KIA MOS管
IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-产品特征KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的型号，下面介绍一下IRFB3607代替型号的参数、封装等详情。1、RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V2、提供无铅绿色设备3、低Rds开启，最小化导电损耗4、高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/2801.html 2021-05-17
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igbt芯片制造工艺以及流程详解-KIA MOS管
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。www.kiaic.com/article/detail/2800.html 2021-05-17
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场效应管的特性以及有哪些特点？-KIA MOS管
下面以N沟道结型场效应管为例说明场效应管的特性。图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区 。www.kiaic.com/article/detail/2799.html 2021-05-17
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MOS管80V80A可替代飞虹90N08 KNX3308B 免费送样-KIA MOS管
型号：KNB3308B电流：80A电压：80V漏源极电压：80V栅源电压：±25V雪崩电流:40A雪崩能源:440MJ接头和储存温度范围:-55℃至+175℃www.kiaic.com/article/detail/2798.html 2021-05-14
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光耦知识解析及光耦工作原理-KIA MOS管
光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。www.kiaic.com/article/detail/2797.html 2021-05-14
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HY1906替代MOS管 KNX3308A规格参数封装详解-KIAMOS管
国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细介绍。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。www.kiaic.com/article/detail/2796.html 2021-05-13