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压控电流源是什么?压控电流源电路设计-KIA MOS管
电压控制型电流源（UCCS），简称压控电流源。有常数 gm=i/u1，称为转移电导。www.kiaic.com/article/detail/4665.html 2023-12-15
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BTL电路，BTL功率放大器图文详解-KIA MOS管
BTL 是英文Balanced Transformer Less 的简写，BTL功率放大器是一种桥接式推挽电路，功率放大器的输出级与扬声器间采用电桥式的连接方式，主要解决OCL、OTL功放效率虽高，但电源利用率不高的问题。www.kiaic.com/article/detail/4664.html 2023-12-15
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RC复位电路图,RC复位电路设计-KIA MOS管
要求低电平复位，即选择RC积分电路，因为上电瞬间C1呈短路状态，所以Vo为低电平，由于电阻R1的存在，使Vo从0V电平呈指数规律慢慢上升，当上升到1V的时间要求大于10ms。www.kiaic.com/article/detail/4663.html 2023-12-14
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RC复位电路时间计算,图文详解-KIA MOS管
复位电路是针对低电平有效复位而言的，其中二极管是起着在断电的情况下能够很快的将电容两端的电压释放掉，为下次上电复位准备。www.kiaic.com/article/detail/4662.html 2023-12-14
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高阻态详解,高阻态是0还是1？单片机高阻态-KIA MOS管
高阻态的取值既不是0，也不是1，而是“无”（即不确定的状态）。在数字电路中，通常使用“X”来表示这种状态。www.kiaic.com/article/detail/4661.html 2023-12-14
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NCE0106R参数,NCE0106R代换,场效应管KIA4610A-KIA MOS管
KIA4610A是采用先进的高单元密度沟槽式N沟MOSFET，漏源击穿电压100V，漏极电流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)，降低开关损耗、高效可靠，KIA4610A能够代换NCE0106R型号，广泛在开关、逆变器、电动工具、保护板应用领域热销，...www.kiaic.com/article/detail/4660.html 2023-12-13
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ocl功放电路原理,电路图,ocl功放电路功率-KIA MOS管
当输入信号为正半周期时，V1导通，V2截止，电流方向为+vcc，V1的集电极，V1的发射极，负载，地。当输入信号为负半周期时，V1截止，V2导通，电流方向为地，负载，V2的发射极，V2的集电极。www.kiaic.com/article/detail/4659.html 2023-12-13
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mos管主要参数,一文读懂MOS管每一个参数-KIA MOS管
V(BR)DSS（或VBDSS）指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。超过此值，管子面临损坏。www.kiaic.com/article/detail/4658.html 2023-12-13
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irfb4710场效应管参数,irfb4710场效应管代换,KIA3510A-KIA MOS管
KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低栅极-漏极电荷可降低开关损耗、100%雪崩测试、可靠且坚固、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性；KIA3510A 75A 100V场效应管能够代换irfb4710型号，广泛应用于逆变器、...www.kiaic.com/article/detail/4657.html 2023-12-12
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mos管和三极管详解,mos管三极管电路图-KIA MOS管
NPN晶体管是最常见的三极管（BJT），它是一个双极结晶体管（BJT），有三条腿，分别是：基极 （b）集电极 （c）发射极 （e）。MOSFET场效应管是另一种常用的晶体管类型。它也具有三个引脚：栅极（G）漏极（D）源极（S）。www.kiaic.com/article/detail/4656.html 2023-12-12
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彩灯控制电路设计,彩灯控制电路图-KIA MOS管
由555构成的多谐振荡器输出时间脉冲提供给74LS194;通过1个拨码开关控制2个74LS194的清零端，实现全亮、全灭功能；通过两组4位共8个拨码开关来控制8个彩灯的预置；通过2个拨码开关来选择S1,S0的状态，分别实现彩灯的左右移动、保持和预置的功能。www.kiaic.com/article/detail/4655.html 2023-12-12
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nce0117k参数,nce0117k代换,KIA6110A中文资料-KIA MOS管
KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应设计等特性，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA6110A 12A 100V场效应...www.kiaic.com/article/detail/4654.html 2023-12-11
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电阻率单位,电阻率计算公式详解-KIA MOS管
国际制单位：欧姆·米。 符号：Ω·m 或者ohmm。常用的单位：欧姆·厘米。符号：Ω·cm；欧姆·毫米。符号：Ω·mm注意：电阻率的国际制单位以前用Ω·mm2/m表示。意为横截面积1mm2、长度1m的电阻的电阻率。现在简化成Ω·m，...www.kiaic.com/article/detail/4653.html 2023-12-11
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源极漏极栅极怎么区分,英文及符号-KIA MOS管
源极：是与通道的一端形成连接的终端。通常情况下，源极端子提供多数电荷载流子，会产生通过结型场效应管（JFET）的电流。www.kiaic.com/article/detail/4652.html 2023-12-11