一种方法直接看工艺库参数,但是现在的工艺库是基于BSIM,参数超级多,有考虑到...一种方法直接看工艺库参数,但是现在的工艺库是基于BSIM,参数超级多,有考虑到很多二级效应。如果直接用工艺库的参数vth0,UnCox来计算的话,会发现计算的值和仿...
1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电,防止mos管产生误动作,甚至击穿mos管(因...1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电,防止mos管产生误动作,甚至击穿mos管(因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压),起到了保护mo...
MOS管栅极与源极加电阻作用 1、为MOSFET提供一个供电,经过电阻分压从而得到分...MOS管栅极与源极加电阻作用 1、为MOSFET提供一个供电,经过电阻分压从而得到分压值,也即所谓的提供一个偏置电压;
该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7,并以此...该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7,并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。
输入阻抗:通过在输入端加上一个电压源U,测试输入端的电流I,则输入阻抗Rin=U...输入阻抗:通过在输入端加上一个电压源U,测试输入端的电流I,则输入阻抗Rin=U/I。输入阻抗越大越好,电阻越大,可以得到的分压越大,驱动能力越强。输入阻抗越大...