KNX3320A参数 MOS管200V90A特性 专用的新平面技术 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=1...KNX3320A参数 MOS管200V90A特性 专用的新平面技术 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化
MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压，平衡电路的功耗，并可以根据温度、时间...MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压，平衡电路的功耗，并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。 在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中，...
当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加...当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的...
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨...LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的...
在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种：一种是有功功率，一种是无功功率...在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种：一种是有功功率，一种是无功功率。电压电流同相位，电源向负载供电，负载把电能转换成其他能量，叫有功。电压电流不...
在不低于几百伏的较高电压下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位...在不低于几百伏的较高电压下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位置的有力竞争产品，它们的数据资料中通常标明特定额定电压、结温和栅极驱动电压下的...
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