KIA50N06D场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 18mΩ，...KIA50N06D场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 18mΩ，开关速度快，导通电阻低，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷（典...
判断一个放大电路是电压负反馈和电流负反馈时，可以看一下，若反馈信号是直接从...判断一个放大电路是电压负反馈和电流负反馈时，可以看一下，若反馈信号是直接从放大电路输出端引出的，则为电压反馈；若反馈信号是从负载电阻靠近地端的一侧引出的...
电路中，VD1是稳压二极管；Ui是没有经过稳压的直流电压，在这一电路中是输入电...电路中，VD1是稳压二极管；Ui是没有经过稳压的直流电压，在这一电路中是输入电压；Uo是经过这一电路稳定后的直流输出电压，其电压大小稳定。
50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，...50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，低导通电阻RDS(开启) 11mΩ，通过优化工艺和单元结构设计，有效降低导通状态电阻，...
MOS开通时，芯片输出高电平，三极管Q2处于截止状态，高电平通过二极管D1驱动MO...MOS开通时，芯片输出高电平，三极管Q2处于截止状态，高电平通过二极管D1驱动MOS管导通；芯片输出低电平时，二极管D1截止，三极管Q2导通，MOSFET极间寄生电容得以通...
