KCY3206B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进的SGT MOSFET技术，...KCY3206B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进的SGT MOSFET技术，高密度单元设计，实现极低导通电阻RDS(on) 2.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导...
当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。...当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。在室温下，硅管的V th约为0.5V，锗管的V th约为0.1V。大于导通电压的区域称为导通区...
晶体管Q1与晶体、电容C1、C2、C3和电感L2一起形成高频RF振荡器，其频率由晶体的...晶体管Q1与晶体、电容C1、C2、C3和电感L2一起形成高频RF振荡器，其频率由晶体的第3个泛音值决定。由于使用了晶体，因此频率稳定无变化。 Q2晶体管与C8、L4也形成...
KCT1808A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，使用先进的SGT技术，极低导通...KCT1808A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，使用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(on) 1.25mΩ，优秀的栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效稳定；适用于...
在电路中，使用了调谐集电极振荡器（L1使用C1和C2）。调谐集电极振荡器使用集电...在电路中，使用了调谐集电极振荡器（L1使用C1和C2）。调谐集电极振荡器使用集电极电路中的并联L-C电路作为负载，该电路决定振荡的频率。调谐电路两端产生的输出电...
