KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺制造，极...KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，低栅极电荷，降低导通损耗与开关损耗；具有快速切换、...
当输入的交流电压处于正半周时，假设变压器次级绕组的上端为正，下端为负。此时...当输入的交流电压处于正半周时，假设变压器次级绕组的上端为正，下端为负。此时，二极管 D1 和 D3 处于正向偏置而导通，D2 和 D4 处于反向偏置而截止。电流从变压...
对于单相交流电，如果变压器采用中心抽头（接地），2个二极管背对背（即阳极对...对于单相交流电，如果变压器采用中心抽头（接地），2个二极管背对背（即阳极对阳极或阴极对阴极）可以组成一个全波整流器。
KND2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽工艺制造，极...KND2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低跨导、开关...
DFN3×3封装是一种常见的无引脚双侧扁平封装（DualFlat No-lead），广泛用于功...DFN3×3封装是一种常见的无引脚双侧扁平封装（DualFlat No-lead），广泛用于功率MOSFET等小型电子元器件，标准尺寸为3mm×3mm。
