假设Q为低电平，则非门2的输入端为高电平，经过R对C充电，C的电压上升，直到非...假设Q为低电平，则非门2的输入端为高电平，经过R对C充电，C的电压上升，直到非门1输入端的电压达到反转电压，此时非门1的输出变为低电平，Q变为高电平。
R-S锁存器是静态存储单元中最基本的一种电路结构，通常由两个或非门或者与非门...R-S锁存器是静态存储单元中最基本的一种电路结构，通常由两个或非门或者与非门组成，下图为与非门搭建R-S锁存器的电路结构图。
KNX2408A，采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，适用于多种...KNX2408A，采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，适用于多种应用。
下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成 当v=1时，T1截止，...下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成 当v=1时，T1截止，T2导通，vo=0； 当v=0时，T1导通，T2截止，vo=1；
电压波纹和开关噪声通常是由电源线发出的。这种噪声会影响晶体振荡器的输出。此...电压波纹和开关噪声通常是由电源线发出的。这种噪声会影响晶体振荡器的输出。此外，有必要确保晶体振荡器产生的波纹噪声不会流到电源线上。实施这些措施还可以改善...
