KIA2N65HD场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术...KIA2N65HD场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能...
接通电源后，C1会有300V左右的直流电压，通过R2给Q1的基极提供电流，Q1的发射极...接通电源后，C1会有300V左右的直流电压，通过R2给Q1的基极提供电流，Q1的发射极有R1电流检测电阻R1，Q1基极得电后，会经过T1的（3、4）产生集电极电流，并同时在T...
白天在较强光照下，光导管227A（一种光敏电阻）两端阻值很小，约20~50kΩ;，晶...白天在较强光照下，光导管227A（一种光敏电阻）两端阻值很小，约20~50kΩ;，晶体管VT2获得基极电流而导通，VT1从R2上得到正偏电压也导通，继电器线圈KA得电，继电...
KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，...KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗；具有低栅极电荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切换能力，...
SMA封装（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引脚间距1.27mm，高度仅1.1mm，采用扁平...SMA封装（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引脚间距1.27mm，高度仅1.1mm，采用扁平矩形结构，引脚呈鸥翼型（J形）。 2. SMB封装（DO-214AA） 尺寸4.5×3.5mm，引脚...
