此处是低端电流取样检测，根据运放的虚短和虚短的原则，V-=V+；有(Vout-V-)/R=...此处是低端电流取样检测，根据运放的虚短和虚短的原则，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 这里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我们算V+=mos流过电阻电流*R2 ，整...
假设上图中Vcc为48V，R1 = 47K，R2 = 1K。则根据电阻分压，Vi = 48 * （1/48）...假设上图中Vcc为48V，R1 = 47K，R2 = 1K。则根据电阻分压，Vi = 48 * （1/48）=1V。因为虚短：V+ = V-。 （式1）
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚...KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码...
S1端输出低电平，MOS管导通，S2端输出低电平。 S1端输出高电平，MOS管截至，S...S1端输出低电平，MOS管导通，S2端输出低电平。 S1端输出高电平，MOS管截至，S2端输出高电平。 S1端输出高阻，MOS管截至，S2端输出高电平 。
1、Q1、Q2为NMOS，Q3、Q4和Q5为PMOS管，D1为二极管。 2、BAT1和BAT2为电池，B...1、Q1、Q2为NMOS，Q3、Q4和Q5为PMOS管，D1为二极管。 2、BAT1和BAT2为电池，BAT2的容量比BAT1大，VIN_5V为外部电源，VOUT为输出，给系统供电。 3、VOUT会从优先...
