近年来，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因...近年来，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力...
①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面贴装...①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；
超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层（空间电荷区）过...超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层（空间电荷区）过程中，N型漂移层两侧的空间电荷区边界会向中心移动，如图2所示，随着VDS电压的升高，...
这是有刷直流电机PWM的H桥恒流驱动电路示例。这是普通的驱动器电路，可以使用内...这是有刷直流电机PWM的H桥恒流驱动电路示例。这是普通的驱动器电路，可以使用内置的比较器进行电机电流的ON/OFF控制，即PWM控制。
电池测试、电化学阻抗谱和半导体测试等测试和测量应用需要准确的电流和电压输出...电池测试、电化学阻抗谱和半导体测试等测试和测量应用需要准确的电流和电压输出直流电源。在环境温度变化为±5°C时，设备的电流和电压控制精度需要优于满量程的±...
