如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此...如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。
弱反型区，沟道消失，流过沟道的漂移电流变为扩散电流。模型的表达式变为指数特...弱反型区，沟道消失，流过沟道的漂移电流变为扩散电流。模型的表达式变为指数特性而不是平方律 弱反型区适合低功耗电路，因为电流很小，但问题在于较大的噪声以及...
对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效...对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效应会导致阈值电压变大，电流IDS减小。
前级同向端输入电压信号给LM324,运放负自身负反馈需要动态平衡，此时，同相端、...前级同向端输入电压信号给LM324,运放负自身负反馈需要动态平衡，此时，同相端、反相端电压相等(V+=V-)。由此R1上的电压就是同相端输入电压，R1采样电阻上流过的恒...
Vds与Vdsat的关系 Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和...Vds与Vdsat的关系 Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和区，需要让Vds -Vdsat大于某个经验值。
