深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

n沟道和p沟道增强型mos管的工作原理 场效应mos管

信息来源:本站 日期:2017-07-17 

分享到:

N沟道增强型MOS管

1.构造

绝缘栅型场效应管的构造表示图如图2-34所示。

2.N沟道增强型MOSFET

1)N沟道增强型MOSFET的导电沟道的构成

N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示,其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区,并分别将它们作为源极s和漏极D,然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层,并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在电路中的符号。

2)N沟道加强型MOSFET的特性曲线

转移特性曲线

N沟道加强型MOSFET的转移特性曲线如图2-36所示。

式中,UT为开启电压(或阈值电压);μn为沟道电子运动的迁移率;Cox为巾位面积栅极电容;W为沟道宽度;疋为沟道长度;W/L为MOSFET的宽长比。在MOSFET集成电路设计中,宽长比是一个极为重要的参数。

输出特性曲线

N沟道MOS管的输出特性曲线如图2-37所示。与结型场效应管的输出特性相似,它也分为恒流区、叮变电阻区、截止区和击穿区。其特性如下所示。

①截止区:UGS≤UT,导电沟道未构成,iD=0。

②恒流区:

·曲线距离平均,UGS对iP的控制才能强;

·UDS对iD的控制才能弱,曲线平整;

·进入恒流区的条件,即预灾断条件为UDS≥UCS-UT。

③可变电阻区:

可变电阻区的电流方程为

因而,可变电阻区的输出电阻rDS为


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”

长按二维码识别关注