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mos管规格书参数详解-图文读懂MOS管规格书每一个MOS参数-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-04-02 

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mos管规格书参数详解

mos管规格书参数详解之读懂每一个mos管参数

在了解mos管规格书参数详解之前,先来看看mos管的每一个参数代表什么及说明,mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数,每个详细参数如下:


mos管规格书参数详解


Rds(on)----------DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻

Id------------------最大DS电流.会随温度的升高而降低

Vgs----------------最大GS电压.一般为:-40V~+40V

Idm---------------最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系

Pd-----------------最大耗散功率

Tj------------------最大工作结温,通常为150度和175度

Tstg---------------最大存储温度

Iar-----------------雪崩电流

Ear---------------重复雪崩击穿能量

Eas---------------单次脉冲雪崩击穿能量

BVdss------------DS击穿电压

Idss---------------饱和DS电流,uA级的电流

Igss---------------GS驱动电流,nA级的电流.

gfs----------------跨导

Qg----------------G总充电电量

Qgs--------------GS充电电量

Qgd-------------GD充电电量

Td(on)---------导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间

Tr----------------上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间

Td(off)----------关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间

Tf-----------------下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间

Ciss---------------输入电容,Ciss=Cgd + Cgs.

Coss--------------输出电容,Coss=Cds +Cgd.

Crss---------------反向传输电容,Crss=Cgc.


mos管规格书参数详解


mos管规格书参数详解说明

(一)

mos管规格书参数详解

说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。

测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。

影响:超过的话会让MOSFET损坏。


(二)

mos管规格书参数详解

说明:ID的漏电流。

测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源极两端给48V的电压。

影响:漏电流越大功耗越大。


(三)

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说明:栅极漏电流

测试条件:在Vgs=+-20V,在漏极和源极两端不给电压。


(四)

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说明:开启电压

测试条件:在Vgs=Vds,在漏极和源极两端电流控制在250uA。

影响:低于参考值可能出现不导通现象,设计时需要考虑范围值。


(五)

mos管规格书参数详解

说明:完全开启,漏极和源极两端最大过电流30A,

测试条件:在Vgs=Vds,在漏极和源极两端电流控制在250uA。

影响:低于参考值可能出现不导通现象,设计时需要考虑范围值。


(六)

mos管规格书参数详解

说明:导通时,Vds的内阻

测试条件:在Vgs=10V,通过12A的电流;Vgs=4.5V,通过6A的电流,在漏极和源极两端的内阻。

影响:内阻越小,MOS过的电流越大,相同电流下,功耗越小。


(七)

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说明:跨导的单位是A/V。是源极电流Id比上栅极电压Vgs,是栅极电压对源极电流的控制作用大小,

跨导:

线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ,其中g是常数系数。系数g称作跨导(或转移电导),具有与电导相同的单位。 这个电路单元通常指放大器。

在MOS管中,跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上,跨导为曲线的斜率。


(八)

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说明:MOS管体二极管的正向导通压降

测试条件:在VGS=0V,体二极管正向通过1A的电流。


(九)

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说明:体二极管可承受最大连续续电流

测试条件:

影响:如果偏小,在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP,OLP(逐周期电流限制保护(OCP),限制最大输出电流;过载保护(OLP),限制最大输出功率;的过程中会引起电流击穿的风险


(十)

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说明:

Ciss=Cgs+Cgd 输入电容

Coss=Cds+Cgd 输出电容

Crss=Cgd(米勒电容)

影响:Ciss:影响到MOS管的开关时间,Ciss越大,同样驱动能力下,开通和关断时间就越慢,开关损坏也就越大。较慢的开关速度对应会带来较好的EMI

Coss和Crss:这两项参数对MOSFET关断时间略有影响,其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能力的大小,对雷击测试项目有一点的影响。


(十一)

mos管规格书参数详解

说明:    

Qg:栅极总充电电量

Qgs:栅极充电电量

Qgd:栅极充电电量

tD(on):漏源导通延迟时间

tr:漏源电路上升时间

tD(off):漏源关断延迟时间

tf:漏源电路下降时间

影响:参数与时间相互关联的参数,开关速度越快对应的优点是开关损耗越小,效率高,温升低,对应的缺点是EMI特性差,MOSFET关断尖峰过高。


mos管规格书参数详解-MOS管发热分析

mos管规格书参数详解

1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。


2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。


3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。


4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

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