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mos管 mos管电压如何正确选择步骤-重点分析

信息来源:本站 日期:2017-10-23 

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mos管电压

常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子,但是从原理上看,似乎不然呀?

当vGS数值较小,吸收电子的才能不强时,漏——源极之间仍无导电沟道呈现,vGS增加时,吸收到P衬底外表层的电子就增加,当vGS到达某一数值 时,这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间构成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,构成反型层。

vGS越大,作用于半导体外表的电场就越强,吸收到P衬底外表的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。

即N沟道MOS管在vGS<VT时,不能构成导电沟道,管子处于截止状态。

只要当vGS≥VT时,才有沟道构成。沟道构成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,就有漏极电流产生。

但是Vgs继续加大,比方IRFPS40N60K

Vgs=100V时

Vds=0和Vds=400V,两种状况下,对管子功用带来什么影响,若烧坏,缘由和内部机理过程是怎样的呢?

Vgs增大会减小Rds(on)减小开关损耗,但是同时会增大Qg,使得开启损耗变大,影响效率

1)MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,抵达维持电压Vth,MOSFET 开端导电;

2)MOSFET 的DS 电流增加,Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电,对GS 电容的充电影响不大;

Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积聚。

3)MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压,Millier 电容大大增加,外部驱动电压对Millier 电容停止充电,GS 电容的电压不变,Millier 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小;

4)MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压,Millier 电容变小并和GS 电容一同由外部驱动电压充电,GS 电容的电压上升;

电压测量

N沟道的有国产的3D01,4D01,日产的3SK系列。G极(栅极)的确定:利用万用表的二极管档。若某脚与其他两脚间的正反压降均大于2V,即显示“1”,此脚即为栅极G。再交换表笔测量其余两脚,压降小的那次中,黑表笔接的是D极(漏极),红表笔接的是S极(源极)。 


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