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MOS晶体管的阈值电压输出特点的解析-场效论坛

信息来源:本站 日期:2017-09-14 

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逻辑阈值电压

由于逻辑阈值电压是式(10.1)中的-IDS与式(10.2)中的IDS相等时的电压,所以应用这个关系能够求得Vin:

假如KN=Kp,即KN/KP=1,经过选择恰当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的参数,可以完成|VTP|=|VTN|,那么作为反相器,当然就能够得到如下理想的关系:

实践上,这样的理想状态是不存在的。在版图设计中,经过设计恰当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的W/L比,尽可能使VTP与VTN相等,能够得到接近1/2VDD的逻辑阈值电压。


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