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雪崩,雪崩二极管内置,器件,静电毁坏原因等-涨知识必读

信息来源:本站 日期:2017-09-29 

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雪崩二极管

第一种:雪崩毁坏

假如在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且到达击穿电压V(BR)DSS (依据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发作毁坏的现象。在介质负载的开关运转断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而招致毁坏的形式会惹起雪崩毁坏。典型电路:
雪崩二极管
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第二种:器件发热损坏

由超出安全区域惹起发热而招致的。发热的缘由分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率缘由:外加直流功率而招致的损耗惹起的发热
●导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,招致一定电流下,功耗增加)
●由漏电流IDSS惹起的损耗(和其他损耗相比极小)瞬态功率缘由:外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)
●内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)器件正常运转时不发作的负载短路等惹起的过电流,形成瞬时部分发热而招致毁坏。
另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度招致热击穿的毁坏。
雪崩二极管
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第三种:内置二极管毁坏

在DS端间构成的寄生二极管运转时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运转,招致此二极管毁坏的形式。


雪崩二极管
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第四种:由寄生振荡导致的毁坏

此毁坏方式在并联时特别容易发作在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接衔接时发作的栅极寄生振荡。高速重复接通、断开漏极-源极电压时,在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg构成的谐振电路上发作此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时,在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压,由于超出栅极-源极间额定电压招致栅极毁坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压经过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形堆叠招致正向反应,因而可能会由于误动作惹起振荡毁坏。
雪崩二极管
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第五种:栅极电涌、静电毁坏

主要有因在栅极和源极之间假如存在电压浪涌和静电而惹起的毁坏,即栅极过电压毁坏和由上电状态中静电在GS两端(包括装置和和测定设备的带电)而招致的栅极毁坏。
雪崩二极管
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