sbd,肖特基二极管原理和作用详解-KIA MOS管
肖特基二极管原理
肖特基势垒二极管（SBD），属于金属-半导体结电子器件，由金属层（金/钼/镍/钛等）与N型半导体（硅/砷化镓）形成肖特基势垒接触。
肖特基二极管的原理在于贵金属（如金、银、铝、铂等）与N型半导体的接触面上所形成的势垒。当这两种材料相接触时，由于N型半导体中电子浓度远高于贵金属，电子会从B（N型半导体）向A（贵金属）扩散。值得注意的是，金属A中缺乏空穴，因此不存在空穴的扩散运动从A到B。随着电子的不断扩散，B表面的电子浓度逐渐降低，破坏了表面的电中性，进而形成了从B指向A的势垒电场。然而，在该电场的作用下，A中的电子也会产生从A到B的漂移运动，这种运动在一定程度上会抵消由于扩散运动而产生的电场。当空间电荷区达到一定宽度后，电子的漂移运动和扩散运动达到动态平衡，从而形成了稳定的肖特基势垒。
肖特基二极管的结构,特性
不使用pn结，而是使用某种金属与n型半导体结作为二极管。这种结叫做肖特基结。
肖特基二极管的VF非常小，而且不使用空穴，因此非常高速，这一点可以说达到理想状态，但是因为反向电流IR大，所以不适合用作高耐压元件。
正向偏压：当金属端接正电压、半导体端接负电压时，势垒宽度减小，电子可越过势垒形成导电通道，电流主要依赖热电子发射效应。
反向偏压：势垒宽度增加，电子无法越过势垒，形成高阻截止状态。
低正向压降：典型值为0.2-0.3V，适用于低压大电流场景。
高频特性：因无少数载流子储存效应，开关速度可达10ns以内，适合高频电路。
耐压限制：反向击穿电压通常不超过100V，限制了高压应用场景。
1、正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2、反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
3、工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。
4、反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
肖特基二极管的作用
肖特基二极管（SBD）具有开关频率高和正向压降低的特性，广泛应用于高频电路与电源管理、大电流整流与保护、通信与射频设备中。
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