050N08,85v120a场效应管,KCX050N08N参数引脚图-KIA MOS管
050N08,85v120a场效应管参数引脚图
KCX050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；封装形式：TO-263、TOLL-8，散热良好。
050N08,85v120a场效应管参数
漏源电压：85V
漏极电流：120A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
单脉冲雪崩能量：144MJ
功率耗散：174W
阈值电压：3V
总栅极电荷：55nC
输入电容：3086PF
输出电容：1057PF
反向传输电容：26PF
开通延迟时间：20.1nS
关断延迟时间：45.1nS
上升时间：38.9ns
下降时间：22.8ns
050N08,85v120a场效应管规格书
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