监视器应用,20a600v场效应管,KNF7160A参数现货-KIA MOS管
20a600v场效应管,KNF7160A参数引脚图
KNF7160A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A，采用专有平面新技术制造，高输入阻抗、低噪声，极低导通电阻RDS（ON）0.35Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高效低耗，稳定可靠；广泛应用于电源、监视器中，封装形式：TO-220F，散热出色、适用于高耐压与大电流场景。
20a600v场效应管,KNF7160A参数
漏源电压：600V
漏极电流：20A
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：1000MJ
总功耗：60W
总栅极电荷：60nC
阈值电压：2-4V
输入电容：2800PF
输出电容：249PF
反向传输电容：20PF
开通延迟时间：35nS
关断延迟时间：155nS
上升时间：72ns
下降时间：70ns
20a600v场效应管,KNF7160A规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
