源极漏极栅极详解,mos管源极漏极栅极区分-KIA MOS管
源极漏极栅极
栅极（G）、源极（S）、漏极（D）是场效应晶体管（FET，包括MOSFET和JFET）的三个电极。
1.栅极（Gate,G）
功能：控制沟道导通/关断的控制极，通过栅极电压（VGS）调节源漏之间的电流。
特性：
绝缘栅结构（MOSFET）：栅极与沟道通过氧化物绝缘，输入阻抗极高。
电压控制：仅需电场效应即可控制电流，几乎无栅极电流。
关键参数：
阈值电压（Vth）：使沟道导通的栅源电压。
栅极电容（Cgs,Cgd)：影响开关速度。
2.源极（Source,S）
功能：载流子（电子或空穴）的发射端，电流从源极流入沟道（N沟道FET中为电子源，P沟道中为空穴源）。
特性：
通常与衬底（Body）连接以固定电位（增强型MOSFET中常接电位端）。
在对称结构中，源极和漏极可互换（实际应用需按工艺设计区分）。
3.漏极（Drain,D）
功能：载流子的收集端，电流从沟道流向漏极（N沟道FET中漏极接高电位）。
特性：
承受较高电压（如功率MOSFET中VDS可达数百伏）。
与源极的区分：在集成电路中，漏极通常连接负载或电源。
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源极（Source)
定义：电流的起点或终点，通常接地或连接电源。
特点：在NMOS中，源极通常接地；在PMOS中，源极通常接电源正极。
漏极（Drain)
定义：电流的终点或起点，与源极形成导通路径。
特点：漏极与源极之间的电压差（VDS）影响导通状态，高频电路中需严格区分漏极与源极。
栅极(Gate)
定义：控制导通的电压输入端，通过栅源电压（VGS）调节沟道导电性。
特点：栅极与半导体之间有绝缘层，无电流通过，仅需电压驱动。
通过电路符号区分
源极（S）：在符号中始终表现为两条导线的交叉点，负责为导电沟道提供载流子（电子或空穴），是电流的输入或输出端。
漏极（D）：在符号中为单独引线的一侧，作为电流的输出端或输入端，与源极构成电流通路。
栅极（G）：通常独立于交叉点，是控制极，用于接收外部信号以调节沟道导通。
使用万用表测量电阻
1.判定栅极（G）：将万用表调至R×1k档，黑表笔任意接一引脚，红表笔依次测另两引脚。若两次电阻值近似相等（高阻态），则黑表笔所接为栅极。
2.区分源极（S）和漏极（D）：
将万用表调至二极管档或R×1档，黑表笔接中间引脚（假设为漏极D），红表笔测两侧引脚。若仅一侧导通（显示0.3-0.7V），则红表笔侧为源极（S），另一侧为栅极（G）。
或直接测量S-D间电阻：黑表笔接源极（S）、红表笔接漏极（D）时，正向电阻较低（几欧至十几欧）；反向电阻较高。交换表笔后电阻值较高的一次，黑表笔所接为源极。
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