040N10,120a100v参数,040N10场效应管中文资料-KIA MOS管
120a100v,040N10场效应管参数
KCT040N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），最大限度地减少导电损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，开关速度快，性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；封装形式：TOLL，适用于高功率密度场景。
详细参数：
漏源电压：100V
漏极电流：120A
导通电阻： 3.6mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
单脉冲雪崩能量：256MJ
功率耗散：227W
阈值电压：3V
总栅极电荷：90nC
输入电容：6772PF
输出电容：952PF
反向传输电容：33PF
开通延迟时间：28nS
关断延迟时间：48nS
上升时间：32ns
下降时间：27ns
120a100v,040N10场效应管引脚图
120a100v,040N10场效应管规格书
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