KCX9860A参数

这种高电压MOSFET采用先进的终止方案，提供增强的电压阻断。不随时间降低性能的能力。此外，这种先进的MOSFET的设计在雪崩和换流模式下承受高能量。新的节能设计也提供了一个具有快速恢复时间流失源头二极管。专为高电压，高速开关在电源，转换器和PWM电机控制中的应用，这些设备特别好。适用于桥式电路，二极管速度和整流安全操作区域至关重要。对意外电压瞬变的附加和安全裕度。

KCX9860A特征

鲁棒高压端接

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路。

高温下指定的智能决策支持系统

隔离安装孔减少安装硬件

KCX9860A产品参数

产品型号：KCX9860A

工作方式：47A/600V

漏电流连续：47A

耗散功率：417W

漏源击穿电压：600V

栅极阈值电压：2V

输入电容：3119 PF

输出电容：2399.1 PF

上升时间：120.56ns

封装形式：TO-220F、TO-247

KCX9860A产品规格

	KCX9860A（47A 600V）
产品编号	KCX9860A/KCM9860A
产品工艺	这种高电压MOSFET采用先进的终止方案，提供增强的电压阻断。不随时间降低性能的能力。此外，这种先进的MOSFET的设计在雪崩和换流模式下承受高能量。新的节能设计也提供了一个具有快速恢复时间流失源头二极管。
产品特征	鲁棒高压端接雪崩能量源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管二极管的特点是用于桥式电路。高温下指定的智能决策支持系统隔离安装孔减少安装硬件
适用范围	主要适用于升降机电源，逆变器。充电桩。光伏逆变等等
封装形式	TO-220F、TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDG页总数	总5页数