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KCX3250A原装正品-KCX3250A 100A/500V-KCX3250A PDF-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-01-24 

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KCX3250A参数

这种高电压MOSFET采用先进的终止方案,提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外,这种先进的MOSFET是设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新型节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。专为高电压、高速设计开关电源,转换器和PWM电机控制中的应用程序,这些设备特别适用于桥式电路,二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。


特点

鲁棒高压端接

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路。

高温下指定的智能决策支持系统

隔离安装孔减少安装硬件


产品型号:KCX3250A

工作方式:100A.500V

漏电流连续:100A

栅源电压(连续):±20V

耗散功率:767W

漏源击穿电压:500V

栅极阈值电压:2V

输入电容:6180 PF

输出电容:264 PF

上升时间:116 ns

封装形式:TO-247



KCX3250A(100A/500V)
产品编号 KCX3250A(N沟道MOSFET)
产品工艺 这种高电压MOSFET采用先进的终止方案,提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外,这种先进的MOSFET是设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新型节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。
产品特征

鲁棒高压端接

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路。

高温下指定的智能决策支持系统

隔离安装孔减少安装硬件

适用范围

专为高电压、高速设计开关电源,转换器和PWM电机控制中的应用程序,这些设备特别适用于桥式电路,二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。

封装形式 TO-247
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

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