KIA6140S 400V11A MOSFET 低内阻高雪崩原装
| KIA6140S (KNX6140S) 核心参数总览 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KNX6140S (N沟道增强型功率MOSFET) | ||
| 封装 | TO-220 (KNP6140S) / TO-220F (KNF6140S) | ||
| 额定电压 VDSS | 400V | 额定电流 ID (25℃) | 11A |
| 导通电阻 RDS(on) (典型值) | 0.53Ω @ VGS=10V, ID=5A | 栅极电荷 Qg (典型值) | 15.7nC @ VGS=10V, ID=11A |
| KIA6140S 产品基本信息 | |||
|---|---|---|---|
| 产品型号 | KIA6140S / KNX6140S / KNP6140S / KNF6140S | 通道类型 | N沟道增强型 |
| 封装形式 | TO-220 / TO-220F | 品牌 | KIA |
| 漏源电压 VDSS | 400V | 连续漏极电流 ID | 11A@25℃ |
| 核心电气参数（TJ=25℃） | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 参数值 | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=250μA, VGS=0V | 400 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | ID=250μA | 2.0~4.0 | V |
| 静态导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | 0.53(典型)/0.64(最大) | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | VGS=10V | 15.7 | nC |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 365 | mJ |
| 工作温度 | Tj | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 可直接替代竞品型号 | |
|---|---|
| 品牌 | 替代型号 |
| 英飞凌 | SPA11N40、SPA11N40C |
| 安森美 | FQP11N40、FQP11N40C |
| 意法半导体 | STP11N40、STP11N40K3 |
| 仙童/威世 | FQD11N40、SIHP11N40D |
| 国产通用 | IRF11N40、CS11N40、HY11N40 |
| 产品特点 | 应用领域 |
|---|---|
|
? 400V高耐压，11A大电流 ? 低导通电阻，低损耗高效率 ? 高雪崩能力，抗冲击性强 ? 快速开关，适合高频电路 ? 宽温工作，工业级稳定性 ? 原装正品，性价比优异 |
? 开关电源 / AC-DC变换器 ? LED驱动电源 / 适配器 ? 电机驱动 / 电磁阀控制 ? 继电器驱动 / 家电控制 ? 工业控制 / 功率开关模块 |
一、KIA6140S 全系列竞品型号（400V 11A N 沟道 MOSFET 直接替代
1. INFINEON英飞凌：SPA11N40、SPA11N40C、IPD60R380CP
2. ON安森美：NTD4960N、FQP11N40、FQP11N40C
3. ST意法半导体：STP11N40、STP11N40K3
4. TOSHIBA东芝：TK11A40D、TK11A40U
5. FAIRCHILD仙童：FQP11N40、FQD11N40
6. VISHAY威世：SIHP11N40D、SIHP11N40
7. 国产替代：CS11N40、IRF11N40、JP11N40、HY11N40
| 绝对最大额定值 (TC=25℃) | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | TO-220 (KNP6140S) | TO-220F (KNF6140S) | 单位 | 备注 |
| 漏源电压 | VDSS | 400 | 400 | V | - |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V | - |
| 连续漏极电流 ID | TC=25℃ | 11 | 11* | A | *受最高结温限制 |
| TC=100℃ | 6.6 | 6.6* | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 44 | 44* | A | - |
| 雪崩能量 | 重复 EAR | 19.50 | 19.50 | mJ | - |
| 单脉冲 EAS | 365 | 365 | mJ | - | |
| 雪崩电流 | IAR | 11 | 11 | A | - |
| 峰值二极管恢复 dv/dt | dv/dt | 4.5 | 4.5 | V/ns | - |
| 总功耗 PD | TC=25℃ | 194.5 | 40.2 | W | - |
| 25℃以上降额系数 | 1.55 | 0.32 | W/℃ | - | |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | -55 ~ +150 | ℃ | - |
| 焊接温度 (1/8" 引脚距外壳5秒) | TL | 300 | 300 | ℃ | - |
| 栅源ESD耐压 (HBM) | VESD(G-S) | 2500 | 2500 | V | C=100pF, R=1.5kΩ |
| 热特性 (TJ=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | TO-220 (KNP6140S) | TO-220F (KNF6140S) | 单位 |
| 结到壳热阻 | RθJC | 0.65 | 3.15 | ℃/W |
| 壳到散热器热阻 (典型值) | RθJS | 0.5 | - | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| 电气特性 (TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 400 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=400V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=320V, TC=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 栅体漏电流 | 正向 IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | - | 1 | nA |
| 反向 IGSS | VGS=-20V, VDS=0V | - | - | -1 | nA | |
| 击穿电压温度系数 | ΔBVDSS/ΔTJ | ID=250μA, 参考25℃ | - | 0.4 | - | V/℃ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | 4.0 | - | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | - | 530 | 640 | mΩ |
| 正向跨导 | gFS | VDS=40V, ID=5A | - | 8 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 980 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 140 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 2.6 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=200V, ID=11A, RG=20Ω | - | 33.5 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 31.5 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 83 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 56 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=320V, ID=11A, VGS=10V | - | 15.7 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 4.6 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 4.5 | - | nC | |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, ISD=11A | - | - | 1.4 | V |
| 连续漏源电流 | IS | - | - | - | 11 | A |
| 脉冲漏源电流 | ISM | - | - | - | 44 | A |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IS=11A, dIF/dt=100A/μs | - | 430 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 3.8 | - | μC | |
| 订购信息 | ||
|---|---|---|
| 型号 | 封装 | 品牌 |
| KNF6140S | TO-220F | KIA |
| KNP6140S | TO-220 | KIA |
| 引脚定义 (TO-220 / TO-220F) | ||
|---|---|---|
| 引脚号 | 功能 | 说明 |
| 1 | Gate (栅极) | 控制MOSFET开关状态的控制端 |
| 2 | Drain (漏极) | 功率回路高压输入端 |
| 3 | Source (源极) | 功率回路低压输出端 |
应用场景：开关电源、开关变换器、电磁阀驱动、电机驱动、继电器驱动等高压高速功率开关应用。
产品特性：低栅极电荷(典型15.7nC)、高抗雪崩能力、快速开关、dv/dt性能优化、100%雪崩测试。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
