电机驱动、BLDC 无刷电机、开关电源二次侧整流、负载开关、电池保护板、主板供电、LED 驱动、工控模块、汽车电子辅助电路
| KIA7115A (KPD7115A) 核心参数总览 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KIA7115A / KPD7115A | 通道类型 | P沟道增强型功率MOSFET |
| 封装形式 | TO-252 (DPAK) | 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 漏源电压 VDS | -150V | 连续漏极电流 ID | -20A @ TC=25℃ |
| 导通电阻 RDS(on) | 153mΩ (典型值) @ VGS=-10V, ID=-10A | 栅极电荷 Qg | 30nC (典型值) @ VDS=-50V, VGS=-10V |
| KIA7115A 产品信息 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KIA7115A / KPD7115A | 类型 | P沟道增强型MOSFET |
| 封装 | TO-252 (DPAK) | 品牌 | KIA |
| 漏源电压 VDS | -150V | 连续电流 ID | -20A |
| 导通电阻 RDS(on) | 153mΩ(典型) | 工作温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 核心电气参数 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 参数值 | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=-250μA | -150 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | ID=-250μA | -2.0 ~ -4.0 | V |
| 静态导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-10A | 153(典型)/200(最大) | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | VGS=-10V | 30 | nC |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 30.2 | mJ |
KIA7115A / KPD7115A
P 沟道大电流：-150V/-20A，满足大功率负电压驱动
超低内阻：153mΩ 典型值，发热小、效率高
贴片 TO-252：体积小、易贴装、适合高密度 PCB
快速开关：低栅极电荷 30nC，高频电路更稳定
高可靠性：100% 雪崩测试，工业级 - 55~150℃宽温
完美替代：直接兼容国际品牌型号，无需改板
性价比高：原装 KIA，性能对标国际品牌，成本更优
| 可直接替代竞品型号 | |
|---|---|
| 品牌 | 型号 |
| 英飞凌 | IRL40SC228、IPD150P204 |
| 安森美 | FQP17P15、NTD20P15 |
| 意法 | STP20P15LF |
| 威世 | SI7115DP、SI7115DN |
| 仙童 | FDD20P15 |
| 国产通用 | AP20P15、HY20P15、WSD20P15 |
| 产品特点 | 应用领域 |
|---|---|
|
? P沟道 -150V/-20A 大电流 ? 超低内阻 低损耗 低发热 ? TO-252 贴片易贴装 ? 快速开关 低栅极电荷 ? 100%雪崩测试 高可靠 ? 宽温工业级 稳定性强 ? 完美替代国际品牌型号 |
? BLDC无刷直流电机驱动 ? 开关电源二次侧同步整流 ? 电池保护板 / 负载开关 ? 主板/显卡供电模块 ? LED驱动电源 ? 工业控制 / 汽车电子 |
| 产品特点 | 典型应用场景 |
|---|---|
|
? 先进高密度沟槽工艺 ? 低导通电阻，降低传导损耗 ? 低栅极电荷，实现快速开关 ? 低热阻设计，散热性能优异 ? 100%雪崩测试，可靠性高 ? 100%漏源电压测试，品质稳定 |
? 主板/显卡核心供电 (MB/VGA Vcore) ? SMPS二次侧同步整流 ? POL（点负载）电源应用 ? BLDC无刷直流电机驱动 ? 电池保护电路、负载开关 |
| 引脚配置 (TO-252封装) | ||
|---|---|---|
| 引脚号 | 功能 | 说明 |
| 1 | Gate (栅极) | 控制MOSFET开关状态的控制端 |
| 2 | Drain (漏极) | 功率回路高压端（P沟道中为电源正极端） |
| 3 | Source (源极) | 功率回路低压端（P沟道中为负载/地端） |
| 订购信息 | ||
|---|---|---|
| 型号 | 封装 | 品牌 |
| KPD7115A | TO-252 (DPAK) | KIA |
| 绝对最大额定值 (TC=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注 |
| 漏源电压 | VDS | -150 | V | - |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | - |
| 连续漏极电流 (VGS@-10V) | TC=25℃ | -20 | A | - |
| TC=100℃ | -12 | A | - | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -60 | A | - |
| 总功耗 | TC=25℃ | 104 | W | - |
| TC=100℃ | 42 | W | - | |
| 雪崩能量 (单脉冲) | EAS | 30.2 | mJ | - |
| 雪崩电流 | IAS | -11 | A | - |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ | - |
| 热特性 (典型值) | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
| 结到环境热阻 | RθJA | 20 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
| 电气特性 (TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -150 | - | - | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-10A | - | 153 | 200 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.0 | - | -4.0 | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=-150V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | -1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2109 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 515 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 410 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A | - | 30 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 6 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 8.1 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | Td(on) | VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A | - | 28 | - | ns |
| 上升时间 | Tr | - | 30 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | Td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 下降时间 | Tf | - | 120 | - | ns | |
| 连续源极电流 | IS | VG=VD=0V, 强制电流 | - | - | -20 | A |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, ISD=-5A, TJ=25℃ | - | - | -1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=-5A, dI/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 34 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 32 | - | nC | |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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