| KIA KNX6165A 核心参数总览 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KNX6165A / KNP6165A / KNF6165A | 通道类型 | N沟道增强型功率MOSFET |
| 封装形式 | TO-220 (KNP6165A) / TO-220F (KNF6165A) | 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 漏源电压 VDSS | 650V | 连续漏极电流 ID | 10A @ TC=25℃ |
| 导通电阻 RDS(on) | 0.7Ω (典型值) @ VGS=10V, ID=5A | 栅极电荷 Qg | 39nC (典型值) @ VDS=325V, VGS=10V |
| 产品特点 | 典型应用场景 |
|---|---|
|
? 符合ROHS环保标准 ? 低导通电阻，降低传导损耗 ? 低栅极电荷，减少开关损耗 ? 快恢复体二极管，提升高频性能 ? 高耐压、高雪崩能量，可靠性强 |
? 高效率开关电源（SMPS） ? 有源功率因数校正（PFC） ? 半桥拓扑电子镇流器 ? 高压电机驱动、逆变器电路 ? 工业电源、适配器、LED驱动 |
| 引脚配置 (TO-220 / TO-220F封装) | ||
|---|---|---|
| 引脚号 | 功能 | 说明 |
| 1 | Gate (栅极) | 控制MOSFET开关状态的控制端 |
| 2 / 4 (TO-220) | Drain (漏极) | 功率回路高压输入端（TO-220封装含散热片） |
| 3 | Source (源极) | 功率回路低压输出端 |
| 订购信息 | ||
|---|---|---|
| 型号 | 封装 | 品牌 |
| KNF6165A | TO-220F | KIA |
| KNP6165A | TO-220 | KIA |
| KNX6165A 产品信息 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KNX6165A / KNP6165A / KNF6165A | 类型 | N沟道增强型MOSFET |
| 封装 | TO-220 / TO-220F | 品牌 | KIA |
| 漏源电压 VDSS | 650V | 连续电流 ID | 10A |
| 导通电阻 RDS(on) | 0.7Ω(典型) | 工作温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 核心电气参数 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 参数值 | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=250μA | 650 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | ID=250μA | 2.0 ~ 4.0 | V |
| 静态导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | 0.7(典型)/0.9(最大) | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | VGS=10V | 39 | nC |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 800 | mJ |
| 可直接替代竞品型号 | |
|---|---|
| 品牌 | 型号 |
| 英飞凌 | SPA10N60C3、IPA60R120CP |
| 安森美 | FCP11N65、FQP10N65 |
| 意法 | STP10N65、STP11N65 |
| 仙童 / 威世 | FQP10N65、SIHP10N65D |
| 国产通用 | 10N65、CS10N65、HY10N65 |
| 产品特点 | 应用领域 |
|---|---|
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? 650V超高耐压 安全稳定 ? 10A大电流 低内阻低发热 ? 高雪崩能量 抗冲击能力强 ? 低栅极电荷 高频开关性能优 ? 工业级宽温 -55~150℃ ? TO-220/TO-220F双封装 ? 直接兼容10N65系列竞品 |
? 开关电源 & PFC电路 ? LED驱动 & 电源适配器 ? 高压逆变器 & 电子镇流器 ? 工业控制 & 电机驱动 ? 家电主板 & 高压控制板 |
| 绝对最大额定值 (TC=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | TO-220 | TO-220F | 单位 |
| 漏源电压 | VDSS | 650 | 650 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | ±20 | V |
| 连续漏极电流 (VGS=10V) | ID | 10 | 10 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 40 | 40 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 800 | 800 | mJ |
| 总功耗 | TC=25℃ | 216 | 50 | W |
| 25℃以上降额系数 | 1.72 | 0.4 | W/℃ | |
| 焊接温度（引脚距外壳0.063in，10秒） | TL/TPAK | 300 | 300 | ℃ |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | -55 ~ +150 | ℃ |
| 热特性 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | TO-220 | TO-220F | 单位 |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | 100 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 0.58 | 2.5 | ℃/W |
| 电气特性 (TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 650 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=650V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=520V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | ||
| 栅体漏电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | - | +1.0 | nA |
| VGS=-20V, VDS=0V | - | - | -1.0 | nA | ||
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | - | 0.7 | 0.9 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=5A | - | 10 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1554 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 153 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 15 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=325V, ID=10A, VGS=10V, RG=9.1Ω | - | 15 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 25 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 51 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 31 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=325V, ID=10A, VGS=0~10V | - | 39 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 7.0 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 16 | - | nC | |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=10A | - | - | 1.5 | V |
| 连续源极电流 | ISD | 作为集成PN二极管 | - | - | 10 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | - | 40 | A |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=10A, dISD/dt=100A/μs | - | 273 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.7 | - | μC | |
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