广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

首页 产品中心 应用领域 新闻中心 关于我们 联系我们
cn en

新闻中心

当前位置: 首页 > 新闻中心> 行业新闻

KNY2904A 40V130A N 沟道 MOSFET

信息来源：本站　日期：2026-05-11　

分享到：

KNY2904A 40V130A N 沟道 MOSFET

2.0mΩ 超低内阻 大功率电源管理优选


2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A）2904A系列 40V/130A N沟道功率MOSFET 产品参数表

KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

一、产品核心信息

项目 参数详情
产品型号 2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A）
产品类型 N沟道增强型功率MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
核心规格 40V / 130A N沟道MOSFET
封装形式 DFN5*6 / TO-252 / TO-263 / TO-220
核心特点 ? 极低导通电阻：
DFN5*6：RDS(ON)=2.0mΩ(典型值 @ VGS=10V)
TO-252/TO-263/TO-220：RDS(ON)=2.5mΩ(典型值 @ VGS=10V)
? 低反向传输电容（Low Crss）
? 快速开关特性（Fast switching）
? 100%雪崩测试（100% avalanche tested）
? 改进的抗dv/dt干扰能力
典型应用 ? PWM应用电路
? 负载开关（Load Switch）
? 电源管理（Power Management）

2904A系列 40V/130A N沟道功率MOSFET 产品参数表

一、产品核心信息

项目 参数详情
产品型号 2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A）
产品类型 N沟道增强型功率MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
核心规格 40V / 130A N沟道MOSFET
封装形式 DFN5*6 / TO-252 / TO-263 / TO-220
核心特点 ? 极低导通电阻：
DFN5*6：RDS(ON)=2.0mΩ(典型值 @ VGS=10V)
TO-252/TO-263/TO-220：RDS(ON)=2.5mΩ(典型值 @ VGS=10V)
? 低反向传输电容（Low Crss）
? 快速开关特性（Fast switching）
? 100%雪崩测试（100% avalanche tested）
? 改进的抗dv/dt干扰能力
典型应用 ? PWM应用电路
? 负载开关（Load Switch）
? 电源管理（Power Management）

KNY2904A N沟道功率MOSFET 产品详情

KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

产品简介：KNY2904A是一款DFN5×6封装、40V/130A高性能N沟道MOSFET，具备超低导通电阻、快速开关、低功耗、高雪崩能力等优势，专为电源管理、电机驱动、负载开关、动力电池、快充等场景设计，可完美替代国际/国产同规格竞品，性价比与可靠性行业领先。

核心优势：超低Rds(on)=2.0mΩ@VGS=10V，低栅极电荷，低损耗高效率，DFN5×6小体积高散热，100%雪崩测试，抗干扰能力强，工作温度-55~150℃，满足工业级、车规级应用环境。

应用场景：同步整流电源、动力电池保护板、快充协议芯片、电机驱动模块、负载开关、PWM控制器、便携式电源、工业控制设备。

一、行业直接竞品型号

竞品类型 竞品型号
国际品牌 AO4403、SI4403、AO4404、SI4404、NTD4960、CSD16402
国产替代 NCE4403、WSD40P13、AP4403、HY4403、IRLMS4403、SM4403
同规格对标 KNB2904A、KND2904A、KNP2904A、2904A全系列

二、KNY2904A VS 竞品核心参数对比

参数 KNY2904A AO4403 SI4403 NCE4403
类型 N沟道 N沟道 N沟道 N沟道
VDS 40V 30V 30V 30V
ID 130A 5.5A 6.1A 5.7A
Rds(on) 2.0mΩ 42mΩ 40mΩ 42mΩ
封装 DFN5×6 SOP-8 SOP-8 SOP-8
优势 耐压更高、电流更大、电阻更低、体积更小、性能全面领先 常规通用 常规通用 常规通用

三、KNY2904A 核心参数

参数项目 规格值
产品型号 KNY2904A
通道类型 N沟道增强型
漏源电压 VDS 40V
连续漏极电流 ID 130A @25℃
导通电阻 RDS(ON) 2.0mΩ @VGS=10V
栅极阈值电压 1.0~2.3V
封装形式 DFN5×6
工作温度 -55℃ ~ +150℃

四、KNY2904A 核心特点

  • 超低导通电阻，大幅降低导通损耗，提升转换效率
  • 高电流、高耐压、高可靠性，满足大功率应用
  • DFN5×6小型化封装，占用空间小，散热性能优异
  • 低栅极电荷，开关速度快，适合高频电路
  • 100%通过雪崩能量测试，抗冲击能力强
  • 无铅环保，符合RoHS标准，工业级品质
  • 可直接兼容替代AO4403/SI4403/NCE4403等主流型号

五、典型应用领域

电源管理模块 动力电池保护板
快充/适配器 电机驱动控制
负载开关 PWM逆变电路
工业控制设备 便携式电子设备

二、引脚定义

封装 引脚号 功能定义
DFN5*6 4 Gate（栅极）
DFN5*6 5,6,7,8 Drain（漏极）
DFN5*6 1,2,3 Source（源极）
TO-252/TO-263/TO-220 1 Gate（栅极）
TO-252/TO-263/TO-220 2 Drain（漏极）
TO-252/TO-263/TO-220 3 Source（源极）

三、订购信息

产品型号 封装形式 品牌
KNY2904A DFN5*6 KIA
KND2904A TO-252 KIA
KNB2904A TO-263 KIA
KNP2904A TO-220 KIA

四、绝对最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）

参数名称 符号 额定值 单位 备注
漏源电压 VDSS 40 V -
栅源电压 VGSS ±20 V -
连续漏极电流 ID 130 A Tc=25℃
连续漏极电流 ID 84 A Tc=100℃
脉冲漏极电流 IDM 400 A VGS=10V
单脉冲雪崩能量 EAS 250 mJ -
总功耗 PD 54 W DFN5*6, Tc=25℃
总功耗 PD 130 W TO-252, Tc=25℃
总功耗 PD 328 W TO-263/TO-220, Tc=25℃
引脚最高焊接温度 TL 300 ℃ 1/8" from case for 5 seconds
工作/存储温度范围 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃ -

五、热特性

参数名称 符号 封装 典型值 单位
结到壳热阻 RθJC DFN5*6 2.3 ℃/W
结到壳热阻 RθJC TO-252 0.96 ℃/W
结到壳热阻 RθJC TO-263/TO-220 0.38 ℃/W

六、电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 40 - - V
漏源漏电流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - - 1 uA
栅源正向漏电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 1.0 1.5 2.3 V
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, DFN5*6 - 2.0 2.7 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, 其他封装 - 2.5 3.2 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, DFN5*6 - 2.6 3.5 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, 其他封装 - 3.1 4.2 mΩ
栅极串联电阻 RG f=1MHz - 1.3 - Ω
输入电容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 6260 - pF
输出电容 Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 580 - pF
反向传输电容 Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 570 - pF
开启延迟时间 td(on) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 18 - ns
上升时间 tr VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 20 - ns
关断延迟时间 td(off) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 50 - ns
下降时间 tf VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 16 - ns
总栅极电荷 Qg VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 135 - nC
栅源电荷 Qgs VDS=15V, ID=20A, VGS=10V 30 - - nC
栅漏电荷 Qgd VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 19 - nC
连续源极电流（二极管正向） IS - - - 130 A
脉冲源极电流（二极管正向） ISM - - - 400 A
漏源二极管正向电压 VSD ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1.2 V

二、引脚定义

封装 引脚号 功能定义
DFN5*6 4 Gate（栅极）
DFN5*6 5,6,7,8 Drain（漏极）
DFN5*6 1,2,3 Source（源极）
TO-252/TO-263/TO-220 1 Gate（栅极）
TO-252/TO-263/TO-220 2 Drain（漏极）
TO-252/TO-263/TO-220 3 Source（源极）

三、订购信息

产品型号 封装形式 品牌
KNY2904A DFN5*6 KIA
KND2904A TO-252 KIA
KNB2904A TO-263 KIA
KNP2904A TO-220 KIA

四、绝对最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）

参数名称 符号 额定值 单位 备注
漏源电压 VDSS 40 V -
栅源电压 VGSS ±20 V -
连续漏极电流 ID 130 A Tc=25℃
连续漏极电流 ID 84 A Tc=100℃
脉冲漏极电流 IDM 400 A VGS=10V
单脉冲雪崩能量 EAS 250 mJ -
总功耗 PD 54 W DFN5*6, Tc=25℃
总功耗 PD 130 W TO-252, Tc=25℃
总功耗 PD 328 W TO-263/TO-220, Tc=25℃
引脚最高焊接温度 TL 300 ℃ 1/8" from case for 5 seconds
工作/存储温度范围 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃ -

五、热特性

参数名称 符号 封装 典型值 单位
结到壳热阻 RθJC DFN5*6 2.3 ℃/W
结到壳热阻 RθJC TO-252 0.96 ℃/W
结到壳热阻 RθJC TO-263/TO-220 0.38 ℃/W

六、电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 40 - - V
漏源漏电流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - - 1 uA
栅源正向漏电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 1.0 1.5 2.3 V
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, DFN5*6 - 2.0 2.7 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A, 其他封装 - 2.5 3.2 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, DFN5*6 - 2.6 3.5 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=4.5V, ID=15A, 其他封装 - 3.1 4.2 mΩ
栅极串联电阻 RG f=1MHz - 1.3 - Ω
输入电容 Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 6260 - pF
输出电容 Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 580 - pF
反向传输电容 Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz - 570 - pF
开启延迟时间 td(on) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 18 - ns
上升时间 tr VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 20 - ns
关断延迟时间 td(off) VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 50 - ns
下降时间 tf VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ - 16 - ns
总栅极电荷 Qg VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 135 - nC
栅源电荷 Qgs VDS=15V, ID=20A, VGS=10V 30 - - nC
栅漏电荷 Qgd VDS=15V, ID=20A, VGS=10V - 19 - nC
连续源极电流（二极管正向） IS - - - 130 A
脉冲源极电流（二极管正向） ISM - - - 400 A
漏源二极管正向电压 VSD ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1.2 V



联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A

搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号

关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持


KPE4403A2 双 P 沟道 MOSFET 30V/...　上一条　　 【返回】　　 下一条　KIA9435 P 沟道 MOSFET 低发热高效...

相关资讯

最新资讯

样品索取

微信二维码

Copyright ©广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号 技术支持：创同盟

s