9.8mΩ 超低内阻 低损耗 高频开关 / 同步整流优选
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KCB2920K (TO-263) / KCP2920K (TO-220) / KCM2920K (TO-247) |
| 产品类型 | N沟道增强型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 核心规格 | 200V / 130A N沟道MOSFET |
| 封装形式 | TO-263 / TO-220 / TO-247 |
| 核心特点 |
? SGT MOSFET 技术 ? 专有新型沟槽工艺（Proprietary New Trench Technology） ? 低导通电阻：RDS(on)=9.8mΩ(典型值 @ VGS=10V) ? 低栅极电荷，降低开关损耗（Low Gate Charge Minimize Switching Loss） ? 快速恢复体二极管（Fast Recovery Body Diode） |
| 典型应用 |
? DC-DC 转换器 ? 高频开关与同步整流应用（Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification） |
IRFP4668PBF（英飞凌 / IR，TO-247）
IRFB4227PBF（英飞凌 / IR，TO-220）
IXTQ130N20T（Littelfuse，TO-3P）
HY3215W（华羿微，TO-247，150V/130A，参数接近
| 客户问题 | 产品解决方案 |
|---|---|
| 发热大、效率低 | SGT沟槽工艺，RDS(on)=9.8mΩ超低内阻，损耗更低 |
| 进口器件价格高、交期长 | 国产替代，PIN对PIN兼容IRFP4668/IRFB4227，成本降30%+ |
| 大电流/高压下易损坏 | 200V/130A高规格，单脉冲雪崩能量2000mJ，抗冲击强 |
| 高频开关损耗大 | 低栅极电荷(Qg=75nC)，快速恢复体二极管，适配高频场景 |
| 封装单一，适配性差 | TO-263(贴片)/TO-220(直插)/TO-247(大功率)三封装，全场景覆盖 |
| 型号 | 封装 | VDS | ID(25℃) | RDS(on)(Typ) |
|---|---|---|---|---|
| KCB2920K | TO-263 | 200V | 130A | 9.8mΩ |
| KCP2920K | TO-220 | 200V | 130A | 9.8mΩ |
| KCM2920K | TO-247 | 200V | 130A | 9.8mΩ |
| 应用领域 | 具体场景 |
|---|---|
| 工业电源 | 开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS电源、高频逆变电源 |
| 电机驱动 | 无刷电机(BLDC)驱动、伺服电机控制、电动车控制器 |
| 新能源设备 | 光伏逆变器、储能电源、充电桩模块 |
| 其他大功率设备 | 电焊机、LED大功率驱动、工业自动化控制模块 |
| 对比项目 | KCB/KCP/KCM2920K | IRFP4668/IRFB4227 |
|---|---|---|
| RDS(on)(典型值) | 9.8mΩ | 19.7mΩ |
| 雪崩能量EAS | 2000mJ | 1500mJ |
| 栅极电荷Qg | 75nC | 110nC |
| 价格优势 | 国产，性价比高 | 进口，价格高 |
| 交期 | 现货供应，交期短 | 交期长，缺货风险高 |
| 项目 | 承诺内容 |
|---|---|
| 品质保障 | 100%雪崩测试、高温老化测试，符合RoHS环保标准 |
| 供货能力 | 原厂现货，批量稳定供货，支持定制化需求 |
| 技术支持 | 提供免费样品、规格书、技术方案，7×24小时技术服务 |
| 售后保障 | 质量问题无条件退换，长期合作客户优先供货 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极 G） |
| 2 | Drain（漏极 D） |
| 3 | Source（源极 S） |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 200 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 (Tc=25℃) | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流 (Tc=100℃) | ID | 75 | A |
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 440 | A |
| 单脉冲雪崩能量 (L=10mH) | EAS | 2000 | mJ |
| 功耗 (Tc=25℃) | PD | 333 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 2.22 | W/℃ |
| 焊接引线最高温度(10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体最高温度(10秒) | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 175 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 漏源漏电流 (高温) | IDSS | VDS=160V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=40A | - | 9.8 | 11.5 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz | - | 6780 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz | - | 5 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz | - | 390 | - | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 75 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 35 | - | nC |
| 栅漏电荷 (米勒电荷) | Qgd | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 10 | - | nC |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 40 | - | ns |
| 上升时间 | trise | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 15 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 45 | - | ns |
| 下降时间 | tfall | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 10 | - | ns |
| 连续源极电流 (二极管) | ISD | Integral PN-diode in MOSFET | - | - | 130 | A |
| 脉冲源极电流 (二极管) | ISM | - | - | - | 440 | A |
| 正向电压 | VSD | IS=80A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=55A, diF/dt=100A/μs | - | 163 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=55A, diF/dt=100A/μs | - | 570 | - | uC |
联系方式：邹先生
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手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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