TO-220/TO-220F 双封装 适配器充电器专用 现货
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | KIA4590A |
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 封装形式 | KNF4590A (TO-220F) / KNP4590A (TO-220) |
产品简介：KIA4590A是一款高压低损耗N沟道MOSFET，采用TO-220/TO-220F封装，具备900V高耐压、6A连续电流、低导通电阻与快速开关特性，专为适配器、充电器、开关电源等场景设计，性能稳定、性价比突出。
核心优势：900V高耐压｜1.6Ω低导通电阻｜快恢复体二极管｜低栅电荷｜RoHS合规｜双封装兼容
典型应用：电源适配器、电池充电器、SMPS待机电源、工业电源、LED驱动
| 品牌 | 替代型号 | 对标参数 |
|---|---|---|
| 士兰微 | SL4590A | 900V/6A/N沟道 TO-220F |
| 华润微 | CR4590A | 900V/6A/N沟道 TO-220/TO-220F |
| 新洁能 | NCE4590A | 900V/6A/N沟道 适配器专用 |
| 扬杰 | YJ4590A | 900V/6A/N沟道 低损耗电源 |
| 安森美 | NTD4960N | 900V高压MOSFET 同规格替代 |
| 英飞凌 | IPA60R950C6 | 900V等级 低栅电荷对标 |
| 长电 | CJ4590A | 国产通用900V/6A MOSFET |
| 东微 | SEMI4590A | 900V/6A 快充/适配器专用 |
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | KIA4590A |
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 封装 | TO-220 / TO-220F |
| 漏源电压 VDSS | 900V |
| 连续漏极电流 ID | 6A |
| 导通电阻 RDS(ON) | 1.6Ω(typ)@VGS=10V |
| 栅源电压 VGSS | ±30V |
| 工作温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 合规标准 | RoHS 无铅环保 |
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=250μA | 900 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | ID=250μA | 4.0 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=3A | 1.6 | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,1MHz | 1462 | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=450V | 38 | nC |
| 反向恢复时间 | trr | IF=6A | 390 | ns |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 900 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 6 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 24 | A |
| 耗散功率 | PD | 45(TO-220F)/120(TO-220) | W |
| 结温范围 | TJ | -55 ~ +150 | ℃ |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
| 参数 | 符号 | TO-220F | TO-220 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 900 | 900 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 6 | 6 | A |
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 24 | 24 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 700 | 700 | mJ |
| 耗散功率 (TC=25℃) | PD | 45 | 120 | W |
| 0.29 | 0.96 | W/℃ (降额系数) | ||
| 焊接温度 (距外壳1.6mm，10秒) | TL | 300 | 300 | ℃ |
| 结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | TO-220F | TO-220 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.78 | 1.04 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 100 | 62 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 900 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=900V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| VDS=720V, TJ=125℃ | - | - | 100 | uA | ||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=3A | - | 1.6 | 2.0 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 3.0 | - | 5.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=3A | - | 8.0 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1462 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 24 | - | pF | |
| 输出电容 | Coss | - | 132 | - | pF | |
| 总栅极电荷(10V) | Qg | VDD=450V, ID=6A, VGS=0~10V | - | 38 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 8.1 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 15 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=450V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=6A | - | 23 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 46 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 32 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 38 | - | ns | |
| 连续源极电流 | ISD | MOSFET内置PN二极管 | - | - | 6 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | 24 | A | |
| 二极管正向电压 | VSD | IS=6A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=IS, di/dt=100A/μs | - | 390 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.4 | - | nC |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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