TO-263 封装 逆变器 UPS 专用 100% 雪崩测试
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | KIA2806A |
| 订货型号 | KNB2806A |
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 封装形式 | TO-263 |
| 版本日期 | Rev 1.8 Mar. 2026 |
产品简介：KIA2806A是一款专为大电流应用设计的高压N沟道MOSFET，采用TO-263贴片封装，具备60V耐压、150A连续电流、3.5mΩ超低导通电阻与快速开关特性，100%通过雪崩测试，可靠性卓越，是逆变器、UPS、电机驱动等场景的理想选择。
核心优势：3.5mΩ低导通电阻｜150A大电流｜100%雪崩测试｜快速开关｜TO-263贴片封装｜RoHS合规
典型应用：逆变器电源管理、UPS不间断电源、电机驱动、锂电池保护、DC-DC转换器、大电流开关电源
| 品牌 | 竞品型号 | 核心对标参数 | KIA2806A 优势 |
|---|---|---|---|
| 士兰微 | SVT2806A | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.8mΩ | 导通电阻更低，发热更小 |
| 华润微 | CR2806A | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.6mΩ | 雪崩能量更高(1200mJ) |
| 新洁能 | NCE2806A | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.5mΩ | 交期更稳定，现货充足 |
| 扬杰 | YJ2806A | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.7mΩ | 反向恢复时间更短(30ns) |
| 东微半导 | OSG2806A | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.5mΩ | 性价比更高 |
| 英飞凌 | IRL3713 | 60V/150A TO-263 Rds(on)=4.0mΩ | 成本降低30%以上 |
| 安森美 | NTD60N03L | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.9mΩ | 国产替代首选 |
| 意法半导体 | STP150N6F7 | 60V/150A TO-263 Rds(on)=3.8mΩ | 100%雪崩测试，可靠性更高 |
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | KIA2806A |
| 订货型号 | KNB2806A |
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源电压 VDSS | 60V |
| 连续漏极电流 ID | 150A(Tc=25℃) |
| 导通电阻 RDS(ON) | 3.5mΩ(typ)@VGS=10V |
| 栅源电压 VGSS | ±25V |
| 工作结温 | -55℃ ~ +175℃ |
| 合规标准 | RoHS 无铅环保 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 60 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±25 | V |
| 二极管连续正向电流 | IS | 150 | A |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 150 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 105 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 580 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1200 | mJ |
| 最大耗散功率(Tc=25℃) | PD | 230 | W |
| 最高结温 | TJ | 175 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55 ~ +175 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.65 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 60 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=60A | 3.5 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, 1MHz | 4376 | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=48V, ID=60A | 130 | nC |
| 反向恢复时间 | trr | IF=60A | 30 | ns |
| 二极管正向电压 | VSD | ISD=60A, VGS=0V | 0.8 | V |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 60 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±25 | V |
| 二极管连续正向电流 | IS | 150 | A |
| 连续漏极电流 | ID | 150 (TC=25℃) | A |
| 105 (TC=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 (TC=25℃) | IDM | 580 | A |
| 单脉冲雪崩能量 (L=1mH) | EAS | 1200 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | 230 (TC=25℃) | W |
| 115 (TC=100℃) | W | ||
| 最高结温 | TJ | 175 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55 ~ +175 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.65 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 60 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=85℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±25V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=60A | - | 3.5 | 4.5 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 0.7 | - | Ω |
| 二极管正向电压 | VSD | ISD=60A, VGS=0V | - | 0.8 | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=60A, VDD=50V, diSD/dt=100A/μs | - | 30 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 50 | - | nC | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 4376 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 857 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 334 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=30V, IDS=60A, RG=25Ω, VGS=10V | - | 28 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 18 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 42 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 54 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=48V, VGS=10V, IDS=60A | - | 130 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 24 | -- | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 47 | -- | nC |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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