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KIA3510A 直接替代 IRF3710 NCE3510A CR3510A

信息来源：本站　日期：2026-05-13　

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KIA3510A 直接替代 IRF3710 NCE3510A CR3510A

100V75A N 沟道 MOSFET 引脚 1:1 兼容 无需改板



KIA3510A 75A 100V N沟道MOSFET 规格参数（KIA3510AD/TO-252 / KIA3510AB/TO-263 / KIA3510AP/TO-220）

1. 产品基本信息

项目 参数
型号 KIA 3510A
类型 N-CHANNEL MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
封装形式 TO-252 / TO-263 / TO-220

2. 核心特性

  • RDS(ON) = 9mΩ(typ.) @ VGS=10V
  • 100% 雪崩测试 (100% avalanche tested)
  • 可靠耐用 (Reliable and rugged)
  • 无铅环保，符合RoHS标准

3. 典型应用

  • 开关应用 (Switching application)
  • 逆变器系统电源管理 (Power management for inverter systems)

KIA3510A 100V/75A N沟道MOSFET 产品详情


产品简介：KIA3510A是一款高性能中压大电流N沟道MOSFET，提供TO-252/TO-263/TO-220三种封装选择，

具备100V耐压、75A连续电流、9mΩ超低导通电阻与225mJ高雪崩能量，100%通过雪崩测试，是逆变器、

开关电源、电机驱动等场景的理想选择。

核心优势：9mΩ低导通电阻｜75A大电流｜225mJ高雪崩能量｜100%雪崩测试｜三封装可选｜RoHS合规

封装选型：KIA3510AD(TO-252)小体积｜KIA3510AB(TO-263)大电流｜KIA3510AP(TO-220)插件式


一、行业竞品对标表（引脚1:1兼容 无需改板）

品牌 竞品型号 对应封装 核心对标参数 KIA3510A 优势
士兰微 SVT3510A TO-252/TO-263/TO-220 100V/75A Rds(on)=10mΩ 导通电阻低10%，发热更小
华润微 CR3510A TO-252/TO-263/TO-220 100V/75A Rds(on)=9.5mΩ 雪崩能量更高(225mJ)
新洁能 NCE3510A TO-252/TO-263/TO-220 100V/75A Rds(on)=9mΩ 交期更稳定，现货充足
扬杰 YJ3510A TO-252/TO-263/TO-220 100V/75A Rds(on)=9.2mΩ 反向恢复时间更短(46ns)
英飞凌 IRF3710/IRFR3710 TO-220/TO-252 100V/57A Rds(on)=18mΩ 电流大31%，成本降40%
安森美 NTD70N10 TO-263 100V/70A Rds(on)=11mΩ 电流更大，导通电阻更低

二、产品基本信息

项目 参数
主型号 KIA3510A
订货型号 KIA3510AD(TO-252) / KIA3510AB(TO-263) / KIA3510AP(TO-220)
类型 N-CHANNEL MOSFET
漏源电压 VDSS 100V
连续漏极电流 ID 75A(TO-263/220) / 65A(TO-252) @ Tc=25℃
导通电阻 RDS(ON) 9mΩ(typ)@VGS=10V, ID=50A
栅源电压 VGSS ±25V
工作结温 -55℃ ~ +175℃
合规标准 RoHS 无铅环保

三、绝对最大额定值（TA=25℃ 除非另有说明）

参数 符号 TO-263/220 TO-252 单位
漏源电压 VDSS 100 100 V
栅源电压 VGSS ±25 ±25 V
连续漏极电流(Tc=25℃) ID 75 65 A
连续漏极电流(Tc=100℃) ID 51 44 A
脉冲漏极电流 IDP 219 219 A
雪崩能量 EAS 225 225 mJ
最大耗散功率(Tc=25℃) PD 166 166 W
最高结温 TJ 175 175 ℃

四、热特性参数

参数 符号 额定值 单位
结到环境热阻 RθJA 62.5 ℃/W
结到外壳热阻 RθJC 0.9 ℃/W

五、核心电气特性（TA=25℃ 除非另有说明）

参数 符号 条件 典型值 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 100 V
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 3 V
漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=50A 9 mΩ
输入电容 Ciss VDS=25V, 1MHz 2946 pF
总栅极电荷 Qg VDS=50V, ID=30A 60 nC
反向恢复时间 trr ISD=50A 46 ns
二极管正向电压 VSD ISD=50A, VGS=0V 1.3 V


备注：
1) 脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2%
2) 设计保证，不进行生产测试
3) 封装限制电流为55A
4) 重复额定值，脉冲宽度受最大结温限制
5) 起始结温TJ=25℃，电感L=0.5mH，IAS=30A



4. 引脚定义 (KIA3510AD/TO-252 / KIA3510AB/TO-263 / KIA3510AP/TO-220)

引脚号 功能
1 Gate (栅极)
2 Drain (漏极)
3 Source (源极)

5. 订货信息

订货型号 封装形式 品牌
KIA3510AD TO-252 KIA
KIA3510AB TO-263 KIA
KIA3510AP TO-220 KIA

6. 绝对最大额定值 (TA=25℃ 除非另有说明)

参数 符号 TO-263/220 TO-252 单位
漏源电压 VDSS 100 100 V
栅源电压 VGSS ±25 ±25 V
最高结温 TJ 175 175 ℃
存储温度范围 TSTG -55 ~ +175 -55 ~ +175 ℃
连续漏极电流 ID 75 (TC=25℃) 65 (TC=25℃) A
51 (TC=100℃) 44 (TC=100℃) A
脉冲漏极电流 (TC=25℃) IDP 219 219 A
雪崩电流 IAS 30 30 A
雪崩能量 EAS 225 225 mJ
最大耗散功率 PD 166 (TC=25℃) 166 (TC=25℃) W
83 (TC=100℃) 83 (TC=100℃) W

7. 热特性参数

参数 符号 额定值 单位
结到环境热阻 RθJA 62.5 ℃/W
结到外壳热阻 RθJC 0.9 ℃/W

8. 电气特性 (TA=25℃ 除非另有说明)

参数 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
静态特性 (Static Characteristics)
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, IDS=250μA 100 - - V
零栅压漏电流 IDSS VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1 μA
VDS=80V, VGS=0V, TJ=125℃ - - 20 μA
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2 3 4 V
栅极漏电流 IGSS VGS=±25V, VDS=0V - - ±100 nA
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, IDS=50A - 9 11 mΩ (TO-263/220)
- 9 14 mΩ (TO-252)
动态特性 (Dynamic Characteristics)
栅极电阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 1.2 - Ω
输入电容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 2946 - pF
输出电容 Coss - 339 -
反向传输电容 Crss - 179 -
开通延迟时间 td(on) VDD=50V, IDS=30A, RG=6.8Ω, VGS=10V - 15 - ns
上升时间 tr - 108 -
关断延迟时间 td(off) - 51 -
下降时间 tf - 59 -
栅极电荷特性 (Gate Charge Characteristics)
总栅极电荷 Qg VDS=50V, VGS=10V, IDS=30A - 60 - nC
栅源电荷 Qgs - 13.7 --
栅漏电荷 Qgd - 22.8 --
二极管特性 (Diode Characteristics)
二极管正向电压 VSD ISD=50A, VGS=0V - - 1.3 V
反向恢复时间 trr ISD=50A, dISD/dt=100A/μs - 46 - ns
反向恢复电荷 Qrr - 86 - nC


备注：
1) 脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2%
2) 设计保证，不进行生产测试
3) 封装限制电流为55A
4) 重复额定值，脉冲宽度受最大结温限制
5) 起始结温TJ=25℃，电感L=0.5mH，IAS=30A




联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

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