200V130A MOS 管 引脚 1:1 兼容 成本降低 40%
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | KIA 2920A |
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 技术 | SGT MOSFET 先进沟槽技术 |
| 版本日期 | Rev 1.0 Mar. 2026 |
产品简介：KCB2920A是一款采用SGT先进沟槽技术的高性能中压大电流MOSFET，
提供TO-263、TO-220、TO-247三种封装，具备200V耐压、130A连续电流、9mΩ超低导通电阻与2000mJ
高雪崩能量，快恢复体二极管，专为DC-DC转换器、同步整流、高频开关电源设计。
核心优势：SGT先进工艺｜9mΩ低内阻｜130A大电流｜2000mJ雪崩能量｜快恢复体二极管｜三封装可选
封装选型：KCB2920A(TO-263)小体积｜KCP2920A(TO-220)通用｜KCM2920A(TO-247)大功率
| 订货型号 | 封装形式 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263 | 高密度PCB、消费电子电源、DC-DC转换器 |
| KCP2920A | TO-220 | 通用开关电源、中小功率工业设备 |
| KCM2920A | TO-247 | 大功率工业电源、电机驱动、同步整流 |
| 品牌 | 竞品型号 | 兼容封装 | 核心对标参数 | KCB2920A优势 |
|---|---|---|---|---|
| 士兰微 | SVT2920A | 全封装 | 200V/130A 9.5mΩ | 导通电阻低5%，发热更小 |
| 新洁能 | NCE2920A | 全封装 | 200V/130A 9.2mΩ | 雪崩能量更高，抗浪涌更强 |
| 英飞凌 | IRFP4668PBF | TO-247 | 200V/130A 9.7mΩ | 成本降低40%，交期稳定 |
| IXYS | IXTH130N20T | TO-247 | 200V/130A 进口 | 性能相当，价格仅为1/3 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 200 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流(100℃) | ID | 75 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 440 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 2000 | mJ |
| 峰值二极管恢复dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 最大耗散功率 | PD | 278 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 3.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=35A | 9.0 | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=100V,ID=55A | 143 | nC |
| 反向恢复时间 | trr | IF=55A,di/dt=100A/μs | 185 | ns |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=70A,VGS=0V | 1.2 | V |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
| 订货型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263 | KIA |
| KCP2920A | TO-220 | KIA |
| KCM2920A | TO-247 | KIA |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 200 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 130 (TC=25℃) | A |
| 75 (TC=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 440 | A |
| 单脉冲雪崩能量 (L=10mH) | EAS | 2000 | mJ |
| 峰值二极管恢复dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 最大耗散功率 (TC=25℃) | PD | 278 | W |
| 25℃以上降额系数 | PD | 2.22 | W/℃ |
| 焊接温度 (距外壳1.6mm，10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体焊接温度 (10秒) | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
注意：超过"绝对最大额定值"的应力可能导致器件永久性损坏
| 参数 | 符号 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=200V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=160V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | ||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=35A | - | 9.0 | 10.5 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=100V, f=1.0MHz | - | 10686 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 18 | - | ||
| 输出电容 | Coss | - | 392 | - | ||
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=100V, ID=55A, VGS=10V | - | 143 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 46 | - | ||
| 栅漏(米勒)电荷 | Qgd | - | 25 | - | ||
| 开通延迟时间 | td(ON) | VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V | - | 45 | - | ns |
| 上升时间 | trise | - | 20 | - | ||
| 关断延迟时间 | td(OFF) | - | 86 | - | ||
| 下降时间 | tfall | - | 16 | - | ||
| 连续源极电流 | ISD | MOSFET内置PN二极管 | - | - | 110 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | 440 | ||
| 二极管正向电压 | VSD | IS=70A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=55A, diF/dt=100A/μs | - | 185 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 469 | - | μC |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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