30V30A MOS 管 引脚 1:1 兼容 成本降低 50%
KNX8103A是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，采用极高单元密度工艺，
为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷特性。
产品符合RoHS和绿色产品要求，100%通过EAS雪崩测试，全功能可靠性认证。
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
| 订货型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND8103A | TO-252 | KIA |
| KNU8103A | TO-251 | KIA |
产品简介：KNX8103A是一款采用先进高密度沟槽技术的高性能低压大电流MOSFET
，提供TO-251、TO-252两种封装，具备30V耐压、30A连续电流、15mΩ超低导通电阻
与7.2nC超低栅极电荷，专为笔记本主板、高频同步降压转换器设计。
核心优势：15mΩ低内阻｜7.2nC低栅极电荷｜高密度沟槽工艺｜72mJ雪崩能量｜双封装可选｜RoHS合规
封装选型：KND8103A(TO-252)贴片｜KNU8103A(TO-251)插件
| 订货型号 | 封装形式 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KND8103A | TO-252 | 笔记本主板、显卡供电、高密度PCB、消费电子 |
| KNU8103A | TO-251 | 台式机主板、工业电源、中小功率设备 |
| 品牌 | 竞品型号 | 兼容封装 | 核心对标参数 | KNX8103A优势 |
|---|---|---|---|---|
| 新洁能 | NCE3030K | 全封装 | 30V/30A 16mΩ | 导通电阻更低，开关更快 |
| 士兰微 | SVT8103A | 全封装 | 30V/30A 15.5mΩ | 栅极电荷更低，损耗更小 |
| 英飞凌 | SPD30N03S2L-10 | TO-252 | 30V/30A 进口 | 成本降低50%，交期稳定 |
| AOS | AOD484 | TO-252 | 30V/25A 15mΩ | 电流更大，承载能力更强 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGSS | +20 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | ID | 30 | A |
| 连续漏极电流(100℃) | ID | 18 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 60 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 72 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | 25 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻(瞬态) | RθJA | -- | 25 | ℃/W |
| 结到环境热阻(稳态) | RθJA | -- | 62 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | -- | 5 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=10A | 15 | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=20V,ID=12A,VGS=4.5V | 7.2 | nC |
| 反向恢复时间 | trr | IF=15A,di/dt=100A/μs | 185 | ns |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=15A,VGS=0V | 1.2 | V |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGSS | +20 | V |
| 连续漏极电流 (VGS≥10V) | ID | 30 (TC=25℃) | A |
| 18 (TC=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 60 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 72 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | 21 | A |
| 最大耗散功率 (TC=25℃) | PD | 25 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55 ~ +150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 (t≤10s) | RθJA | -- | 25 | ℃/W |
| 结到环境热阻 (稳态) | RθJA | -- | 62 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | -- | 5 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 击穿电压温度系数 | △BVDSS/△TJ | 参考25℃, ID=1mA | - | 0.023 | - | V/℃ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=10A | - | 15 | 18 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=5A | - | 22 | 30 | |||
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 栅极阈值电压温度系数 | △VGS(TH) | - | - | -5.2 | - | mV/℃ |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | - | - | 5 | |||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=10A | - | 10 | - | S |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2.5 | 5 | Ω |
| 总栅极电荷 (4.5V) | Qg | VDS=20V, VGS=4.5V, ID=12A | - | 7.2 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.4 | - | ||
| 栅漏(米勒)电荷 | Qgd | - | 2.2 | - | ||
| 开通延迟时间 | td(ON) | VDD=12V, ID=5A, RG=3.3Ω, VGS=10V | - | 4.1 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 9.8 | - | ||
| 关断延迟时间 | td(OFF) | - | 15.5 | - | ||
| 下降时间 | tf | - | 6.0 | - | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 572 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 81 | - | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 65 | - | ||
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | VDD=25V, L=0.1mH, IAS=10A | - | 16 | - | mJ |
| 连续源极电流 | IS | VGS=0V, VDS=0V | - | - | 30 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | 强制电流 | - | - | 60 | |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=15A, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
联系方式：邹先生
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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