-30V-4A P 沟道 MOS 管 引脚 1:1 兼容 成本降 50%
KIA3401采用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，
支持低至2.5V的栅极电压工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
标准产品无铅，符合RoHS和索尼259规范，提供绿色产品订购选项。
产品简介：KIA3401是一款采用先进沟槽技术的高性能P沟道MOSFET，
标准SOT-23封装，具备-30V耐压、-4A连续电流、60mΩ低导通电阻与
9nC低栅极电荷，支持2.5V低栅压驱动，专为负载开关、PWM控制和便携式电子设备设计。
核心优势：2.5V低栅压驱动｜60mΩ低内阻｜9nC低栅极电荷｜SOT-23小体积｜宽温工业级｜RoHS合规
封装选型：KIA3401(SOT-23) 通用小体积贴片
| 订货型号 | 封装形式 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KIA3401 | SOT-23 | 负载开关、PWM控制、便携式设备、电池管理、消费电子 |
| 品牌 | 竞品型号 | 兼容封装 | 核心对标参数 | KIA3401优势 |
|---|---|---|---|---|
| 新洁能 | NCE3401 | SOT-23 | -30V/-4A 65mΩ | 导通电阻更低，发热更小 |
| AOS | AO3401 | SOT-23 | -30V/-4A 进口 | 成本降低50%，交期稳定 |
| 安森美 | NDS3401 | SOT-23 | -30V/-4A 进口 | 性能相当，价格优势明显 |
| 意法半导体 | STS3401 | SOT-23 | -30V/-3.5A 70mΩ | 电流更大，承载能力更强 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | -30 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±12 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | ID | -4.0 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -25 | A |
| 总耗散功率 | PD | 1.2 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | Max | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻(瞬态) | RθJA | 104 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=-250μA | -30 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250μA | -1.0 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V,ID=-4.0A | 60 | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-15V,ID=-4.0A,VGS=-4.5V | 9.0 | nC |
| 反向恢复时间 | trr | IF=-4A,di/dt=100A/μs | 20.2 | ns |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=-1A,VGS=0V | 1.2 | V |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Source (源极) |
| 3 | Drain (漏极) |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | -30 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±12 | V |
| 连续漏极电流 (TA=25℃) | ID | -4.0 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -25 | A |
| 总耗散功率 (TA=25℃) | PD | 1.2 | W |
| 工作结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 (t≤5s) | RθJA | - | 104 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±12V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -0.6 | -1 | -1.3 | V |
| 导通态漏极电流 | ID(on) | VGS=-4.5V, VDS=-5V | -25 | - | - | A |
| VGS=-10V, ID=-4.0A | -55 | - | 60 | |||
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-4.0A | - | - | 60 | mΩ |
| VGS=-4.5V, ID=-3.5A | - | - | 70 | |||
| VGS=-2.5V, ID=-1.2A | - | - | 100 | |||
| 正向跨导 | gfs | VDS=-5.0V, ID=-4.0A | 7 | 10 | - | S |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=-1A | - | - | -1.2 | V |
| 动态特性 (Dynamic characteristics) | ||||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 951 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 115 | - | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 77 | - | ||
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 6 | - | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4.0A | - | 9.0 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.6 | - | ||
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 3.0 | - | ||
| 开关特性 (Switching Characteristics) | ||||||
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=-15V, ID=-4A, RGEN=6Ω, VGS=-10V | - | 7.0 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 3.0 | - | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 30 | - | ||
| 下降时间 | tf | - | 12 | - | ||
| 反向恢复时间 | trr | IF=-4A, dI/dt=100A/μs | - | 20.2 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 11.2 | - | nC | |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
