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2N60现货供应商 KIA2N60中文资料 PDF文件 2N60参数资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-27 

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KIA2N60参数

KIA2N60  N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关变换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序。


KIA2N60特征

RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型9NC)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA2N60

工作方式:2A/600V

漏源电压:600V

栅源电压:±30V

漏电流连续:2.0*A

脉冲漏极电流:8*A

雪崩能量:12mJ

耗散功率:44W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:600V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:200 PF

输出电容:20 PF

上升时间:25 ns

封装形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F



KIA2N60(2A/600V)
产品编号 KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 kia2n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关变换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序
产品特征

RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型9NC)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于功率开关应用,如开关稳压器,开关变换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序
封装形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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