4.5mΩ超低内阻｜高温不降额｜电机/电源/电池保护板专用
品牌：KIA（KMOS Semiconductor）
产品类型：N沟道增强型功率MOSFET
KNX3403B 是采用 KIA 低压MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应管，优化的工艺和单元结构可实现极低的导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于UPS电源、逆变器系统电源管理等场景。
KND3403B（TO?252）与KNY3403B（DFN5×6）是KIA半导体推出的30V/85A N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽工艺，实现RDS(on)低至4.5mΩ、低栅极电荷、快速开关与优异抗dv/dt能力，适配低压大电流高频场景，覆盖TO?252贴片与DFN5×6超薄封装，兼顾散热、体积与成本。
| 型号 | 封装 | 极性 | 耐压VDS | 电流ID | RDS(on)@10V |
|---|---|---|---|---|---|
| KND3403B | TO?252（DPAK） | N沟道 | 30V | 85A | 4.5mΩ（典型） |
| KNY3403B | DFN5×6（8L） | N沟道 | 30V | 85A | 4.5mΩ（典型） |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | VGS=0V | 30 | 30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=25℃ | 85 | 85 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | — | 340 | — | A |
| 栅源电压 | VGS | — | ±20 | ±20 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=20A | 4.5 | 5.5 | mΩ |
| 栅极电荷 | Qg | VDD=24V,ID=30A | 47 | — | nC |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,f=1MHz | 2200 | — | pF |
| 体二极管压降 | VSD | IS=20A | 1.2 | 1.4 | V |
| 品牌 | 竞品型号 | 耐压 | 电流 | RDS(on)@10V | 封装 | 替换备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 新洁能NCE | NCE3080K | 30V | 80A | 5.0mΩ | TO?252 | 参数接近，可直接替换 |
| AOS | AOD4132 | 30V | 85A | 4.8mΩ | TO?252 | 同参数，PIN对PIN |
| 英飞凌Infineon | IRL3803 | 30V | 74A | 5.3mΩ | TO?252 | 电流略小，兼容替换 |
| ST意法 | STD85N3LH5 | 30V | 80A | 4.2mΩ | TO?252 | 低内阻，可替换 |
| 芯灿微 | FDD6688 | 30V | 85A | 4.7mΩ | TO?252 | 国产替代，性价比高 |
| 品牌 | 竞品型号 | 耐压 | 电流 | RDS(on)@10V | 封装 | 替换备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AOS | AON6962 | 30V | 85A | 4.6mΩ | DFN5×6?8L | 完全兼容，直接替换 |
| 拓锋 | TF030N03N | 30V | 85A | 4.5mΩ | DFN5×6?8L | 同参数，国产替代 |
| 芯控源 | AGMH03N85A | 30V | 85A | 4.8mΩ | DFN5×6?8L | 超薄封装，适配高密度PCB |
| 新洁能NCE | NCE20P85GU | 30V | 85A | 5.0mΩ | DFN5×6?8L | 国产主流，稳定供货 |
| 应用领域 | 具体场景 |
|---|---|
| 电源管理 | DC?DC转换器、同步整流、UPS、快充电源 |
| 电池系统 | BMS保护板、锂电池充放电控制、移动电源 |
| 电机驱动 | 电动工具、风扇/水泵、电动车控制器 |
| 工业控制 | 负载开关、大电流配电、PWM逆变 |
| 消费电子 | 适配器、LED驱动、背光电源 |
备注：以上参数基于KIA官方 datasheet（Rev1.1，2025?11），批量生产前请以最新规格书为准。
| 封装形式 | 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|---|
| TO-252 | 1 | Gate（栅极） |
| TO-252 | 2 | Drain（漏极） |
| TO-252 | 3 | Source（源极） |
| DFN5*6 | 4 | Gate（栅极） |
| DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| DFN5*6 | 1,2,3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3403B | TO-252 | KIA |
| KNY3403B | DFN5*6 | KIA |
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | - | 30 | V |
| 漏极电流 ID | ID | TC=25℃ | 85 | A |
| ID | TC=100℃ | 61 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | - | 340 | A |
| 栅源电压 | VGSS | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 156 | mJ |
| 功耗 PD | PD | TC=25℃ | 71 | W |
| PD | 25℃以上降额 | 0.47 | W/℃ | |
| 工作与存储温度范围 | TJ,TSTG | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 2.1 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 参数类别 | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, I=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA | |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通特性 | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 0.8 | 1.3 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.5 | 5.5 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=15A | - | 5.5 | 7.2 | mΩ | |||
| 栅极电阻 | RG | f=1.0MHz | - | 5 | - | Ω | |
| 动态特性 | 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 2200 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 270 | - | pF | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 205 | - | pF | ||
| 开关特性 | 开通延迟时间 | td(on) | VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω | - | 11 | - | ns |
| 开通上升时间 | tr | - | 87 | - | ns | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 140 | - | ns | ||
| 关断下降时间 | tf | - | 82 | - | ns | ||
| 栅极电荷特性 | 总栅极电荷 | Qg | VDD=24V, ID=30A, VGS=10V | - | 47 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 8.5 | - | nC | ||
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 9.9 | - | nC | ||
| 体二极管特性 | 连续源极电流 | IS | 体二极管电流 | - | - | 85 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | - | 340 | A | |
| 漏源二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1.4 | V | |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IS=30A, dlF/dt=100A/us | - | 15 | - | ns | |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 7 | - | uC |
备注：以上数据均来自KIA官方 datasheet Rev 1.1（Nov. 2025），实际应用请以最新版规格书为准。
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