2N60现货供应商 KIA2N60中文资料 PDF文件 2N60参数资料-KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-01-27　

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KIA2N60参数

KIA2N60 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。

KIA2N60特征

RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷（典型9NC）

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA2N60

工作方式：2A/600V

漏源电压：600V

栅源电压：±30V

漏电流连续：2.0*A

脉冲漏极电流：8*A

雪崩能量：12mJ

耗散功率：44W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：600V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：200 PF

输出电容：20 PF

上升时间：25 ns

封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA2N60（2A/600V）
产品编号	KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	kia2n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序
产品特征	RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型9NC）高耐用性快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序
封装形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页数	总6页数