KND/KNP/KNF41100A 1000V 2A MOSFET 国产替代
信息来源：本站 日期：2026-05-20
TO-252/TO-220/TO-220F 适配器 / 充电器专用
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 产品系列 | 41100A系列（N沟道MOSFET） |
| 产品型号 | KND41100A / KNP41100A / KNF41100A |
| 封装形式 | TO-252 / TO-220 / TO-220F |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心规格 | 2.0A/1000V，Rds(on)=9.6Ω（典型值） |
| 特性项 | 说明 |
|---|---|
| 合规标准 | RoHS Compliant（环保无铅） |
| 导通电阻 | Rds(on)=9.6Ω（典型值）@VGS=10V |
| 开关损耗 | 低栅极电荷设计，降低开关损耗 |
| 体二极管 | 快恢复体二极管，抑制反向尖峰 |
| 型号 | 封装 | 品牌 | 核心规格 |
|---|---|---|---|
| KND41100A | TO-252（贴片） | KIA（KMOS） | N沟道 1000V 2A |
| KNP41100A | TO-220（直插） | KIA（KMOS） | N沟道 1000V 2A |
| KNF41100A | TO-220F（绝缘） | KIA（KMOS） | N沟道 1000V 2A |
| 特性 | 参数/说明 |
|---|---|
| 耐压 VDSS | 1000V（最小值） |
| 电流 ID | 2A（连续） |
| 导通电阻 Rds(on) | 9.6Ω（典型值）@VGS=10V |
| 栅极电荷 Qg | 15nC（典型值） |
| 体二极管 | 快恢复，抑制反向尖峰 |
| 环保等级 | RoHS Compliant |
| 国产型号 | 进口对标 | 封装 | 参数一致性 |
|---|---|---|---|
| KND41100A | IXFN4N100 | TO-252 | 1000V/2A 一致 |
| KNP41100A | IXFP4N100/2SK1119 | TO-220 | 1000V/2A 一致 |
| KNF41100A | IXFP4N100F/STW2N100F | TO-220F | 1000V/2A 一致 |
| 应用领域 | 使用场景说明 |
|---|---|
| 适配器电源 | 家电/手机适配器、小功率开关电源 |
| 充电器电路 | 快充充电器、小功率充电模块 |
| SMPS辅助电源 | 高压待机电源、工业辅助电源 |
| LED驱动 | 高压LED驱动、照明电源 |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1000 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 2 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 8 | A |
| 功耗 | PD | 60 | W |
| 结温范围 | Tj | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 击穿电压 BV | VGS=0V,ID=250μA | 1000 | V |
| 导通电阻 Rds(on) | VGS=10V,ID=1A | 9.6 | Ω |
| 栅极阈值 Vgs(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2~4 | V |
| 输入电容 Ciss | VGS=0V,VDS=25V | 370 | pF |
| 反向恢复时间 trr | IF=2A,di/dt=100A/μs | 320 | ns |
| 应用领域 | 说明 |
|---|---|
| 适配器电源 | 手机/家电适配器、开关电源 |
| 充电器电路 | 快充充电器、小功率充电模块 |
| SMPS待机电源 | 开关电源待机电路、辅助电源 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 参数项 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1000 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 2.0 | A |
| 脉冲漏极电流@VGS=10V | IDM | 8.0 | A |
| 单脉冲雪崩能量（VDD=50V） | EAS | 80 | mJ |
| 功耗@25℃ | PD | 60 | W |
| 最高结温 | TJmax | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数项 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 2.08 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 75 | ℃/W |
| 参数项 | 符号 | 测试条件 | 典型值/范围 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 1000（Min） | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=1000V, VGS=0V | ≤1（Max） | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | ±100（Max） | nA |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=1.0A | 9.6（Typ）/≤12（Max） | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.0~4.0 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 370（Typ） | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 同上条件 | 4.0（Typ） | pF |
| 输出电容 | Coss | 同上条件 | 40（Typ） | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=500V, ID=2.0A, VGS=0~10V | 15（Typ） | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上条件 | 2.1（Typ） | nC |
| 栅漏（米勒）电荷 | Qgd | 同上条件 | 6.0（Typ） | nC |
| 开通延迟时间 | td(ON) | VDD=500V, ID=2.0A, RG=12Ω | 8.0（Typ） | ns |
| 上升时间 | trise | 同上条件 | 6.0（Typ） | ns |
| 关断延迟时间 | td(OFF) | 同上条件 | 36（Typ） | ns |
| 下降时间 | tfall | 同上条件 | 15（Typ） | ns |
| 连续源极电流 | ISD | 体二极管电流 | 2（Typ） | A |
| 二极管正向压降 | VSD | IS=2.0A, VGS=0V | ≤1.5（Max） | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=2.0A, diF/dt=100A/μs | 320（Typ） | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 同上条件 | 1.0（Typ） | uC |
| 测试项目 | 电路类型 |
|---|---|
| 开关特性测试 | 带电阻负载的开关测试电路 |
| 栅极电荷测试 | 带辅助电容的栅极电荷测试电路 |
| 输出特性测试 | 不同VGS条件下的输出特性曲线 |
| 热阻抗测试 | 瞬态热阻抗测试电路 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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