98mΩ超低导通电阻 | 高频DC-DC专用贴片MOS管
| 特性项目 | 说明 |
|---|---|
| RDS(ON)典型值 | 98mΩ @ VGS=10V |
| 工艺技术 | 高密度沟槽工艺 |
| 栅极电荷 | 超低栅极电荷，开关损耗低 |
| 抗干扰性能 | 优异的Cdv/dt抑制效果 |
| 环保合规 | 绿色器件，RoHS标准 |
| 高频负载点同步降压转换器 |
| 网络设备DC-DC电源系统 |
| 负载开关电路 |
| 项目 | 优势说明 |
|---|---|
| 耐压/电流 | 100V / 7A，小体积大能力 |
| 导通电阻 | 98mΩ@VGS=10V，发热更低 |
| 开关性能 | 超低栅极电荷，高频更稳定 |
| 封装优势 | SOT-89贴片，体积小、易布局 |
| 可靠性 | 宽温工作，抗干扰能力强 |
| 环保认证 | RoHS合规，无铅环保 |
三、KNS5610A同级平替型号对照表
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 对标参数 |
|---|---|---|---|
| Infineon |
IRLML2803 IRLML6402 |
SOT-89 | 100V N沟道 小功率MOS |
| ON |
NTD4960 NTD3055 |
SOT-89 | 100V 低压小体积MOS |
| VISHAY |
Si2310 Si2312 |
SOT-89 | 100V 低功耗 小电流 |
| 国产替代 |
SMK100N7 APM2310 HX100N7 |
SOT-89 | 100V/7A 直接替代型号 |
| 对比项 | KNS5610A | 同类竞品 |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 98mΩ，更低损耗 | 普遍120~200mΩ |
| 栅极电荷 | 超低Qg，开关更快 | 电荷偏高，损耗大 |
| 抗干扰 | 优异Cdv/dt抑制 | 常规性能 |
| 一致性 | 原厂晶圆，一致性高 | 参差不齐 |
| 性价比 | 高可靠、低成本 | 进口价高、交期不稳 |
| 产品型号 | 封装 | 类型 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| KNS5610A | SOT-89 | N沟道MOSFET | 高频DC?DC、网络电源、负载开关 |
| 高频同步降压DC?DC转换器 |
| 网络设备电源管理系统 |
| 便携式电子负载开关 |
| 小型电源模块、适配器 |
| 家电控制、工业低压控制板 |
| 高密度PCB空间受限设备 |
| 客户痛点 | 解决方案 |
|---|---|
| 电源发热严重、效率低 | 超低Rds(on)，降低导通损耗 |
| PCB空间小、无法布局 | SOT-89小封装，节省空间 |
| 开关干扰大、系统不稳定 | 低栅电荷+强抗干扰设计 |
| 高温环境易失效 | 宽温-55~150℃，高可靠性 |
| 进口货期长、成本高 | 国产原厂，现货稳定价优 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNS5610A | SOT-89 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | - | 100 | V |
| 栅源电压 | Vgs | - | 20 | V |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃, VGS@10V | 7 | A |
| Id | Tc=100℃, VGS@10V | 5.2 | A | |
| Id | Ta=25℃, VGS@10V | 2 | A | |
| Id | Ta=100℃, VGS@10V | 1.4 | A | |
| 脉冲漏极电流 | Idm | - | 14 | A |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 22.7 | W |
| Pd | Ta=25℃ | 2 | W | |
| 雪崩电流 | Ias | - | 6 | A |
| 工作/存储温度 | Tj, Tstg | - | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | - | 2.6 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | - | 48 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 100 | - | - | V |
| BVdss温度系数 | ΔBVdss/ΔTj | 参考25℃, Id=1mA | - | 0.098 | - | V/℃ |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=5A | - | 98 | 115 | mΩ |
| Rds(on) | Vgs=4.5V, Id=3A | - | 110 | 125 | mΩ | |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 1 | 1.85 | 3 | V |
| Vgs(th)温度系数 | ΔVgs(th)/ΔTj | Vds=Vgs, Id=250μA | - | -4.57 | - | mV/℃ |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=80V, Vgs=0V, Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
| Idss | Vds=80V, Vgs=0V, Tj=55℃ | - | - | 5 | μA | |
| 栅源正向漏电流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨导 | gfs | Vds=5V, Id=10A | - | 13 | - | S |
| 栅极电阻 | Rg | Vds=0V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 1.8 | - | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 26.2 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 4.6 | - | nC |
| 栅漏电荷(Miller) | Qgd | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 5.1 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 4.2 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 8.2 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 35.6 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 9.6 | - | ns |
| 输入电容 | Ciss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 1535 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 60 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 37 | - | pF |
| 连续源极电流 | Is | Vd=Vg=0V, 正向电流 | - | - | 7 | A |
| 最大脉冲源极电流 | Ism | - | - | - | 49 | A |
| 二极管正向电压 | Vsd | Is=1A, Vgs=0V, Tj=25℃ | - | - | 1.3 | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 37 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 27.3 | - | nC |
| 曲线编号 | 曲线名称 | 说明 |
|---|---|---|
| Fig.1 | 典型输出特性曲线 | Id与Vds关系，不同Vgs下的导通特性 |
| Fig.2 | 导通电阻-栅源电压 | Rds(on)随Vgs变化的趋势 |
| Fig.3 | 反向二极管正向特性 | Is与Vsd关系，不同结温对比 |
| Fig.4 | 栅极电荷特性曲线 | Vgs随Qg变化，不同Vds对比 |
| Fig.5 | 归一化Vgs(th)-结温 | 阈值电压随温度变化趋势 |
| Fig.6 | 归一化Rds(on)-结温 | 导通电阻随温度变化趋势 |
| Fig.7 | 电容特性曲线 | Ciss/Coss/Crss随Vds变化 |
| Fig.8 | 安全工作区(SOA) | 不同脉宽下的Id-Vds安全边界 |
| Fig.9 | 瞬态热阻抗曲线 | 归一化热响应与脉冲宽度关系 |
| Fig.10 | 开关时间波形 | 开通/关断延迟与上升下降时间波形 |
| Fig.11 | 栅极电荷波形 | Qg测试波形与雪崩能量公式 |
| 优势项目 | 说明 |
|---|---|
| 低导通损耗 | 98mΩ典型Rds(on)，减少发热 |
| 高频性能优异 | 超低栅极电荷，开关速度快 |
| 抗干扰能力强 | 优异Cdv/dt抑制，稳定性高 |
| 小封装大电流 | SOT-89封装，节省PCB空间 |
| 工业级可靠性 | 宽温-55~150℃，适应复杂环境 |
联系方式：邹先生
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