9mΩ超低内阻 | 三种封装可选，工业级大功率专用
| 特性项目 | 说明 |
|---|---|
| 工艺技术 | SGT MOSFET沟槽工艺 |
| 导通电阻 | RDS(ON)=9.0mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 开关损耗 | 低栅极电荷，降低开关损耗 |
| 体二极管 | 快恢复体二极管，反向恢复快 |
| 环保合规 | 无铅工艺，符合RoHS标准 |
| DC-DC转换器 |
| 高频开关电路 |
| 同步整流电源系统 |
| 产品型号 | 封装形式 | 类型 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263（贴片） | N沟道MOSFET | 高密度PCB、贴片电源模块 |
| KCP2920A | TO-220（直插） | N沟道MOSFET | 常规工控、逆变器、通用电源 |
| KCM2920A | TO-247（大功率） | N沟道MOSFET | 大功率设备、储能、高频大电流 |
| 参数项目 | 规格值 | 优势说明 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | 200V | 高压稳定，耐冲击不炸管 |
| 连续电流 | 130A | 超大电流，大功率场景专用 |
| 导通电阻 | 9.0mΩ@VGS=10V | 超低内阻，发热低、效率高 |
| 雪崩能量 | 2000mJ | 高可靠性，抗过载能力强 |
| 体二极管 | 快恢复型 | 反向恢复快，适合高频电路 |
| 工作温度 | -55~150℃ | 宽温工业级，适应恶劣环境 |
四、同级直接竞品型号大全
| 封装 | 品牌 | 竞品型号 | 对标参数 |
|---|---|---|---|
| TO-263 | Infineon |
IRFB4310 IRFB4227 |
200V 大电流低内阻MOS |
| TO-263 | VISHAY |
Si4120 SI7136DP |
200V N沟道 贴片大电流 |
| TO-263 | ON |
NTB60N20 NTD4960 |
200V 工业级功率MOS |
| TO-220 | Infineon |
IRF4310 IRL4227 |
200V 直插大功率MOS |
| TO-220 | ST |
STP80N20 STD60N20 |
200V 大电流 直插MOS |
| TO-247 | Infineon |
IRFP4310 IRFP9240 |
200V 超大功率MOS |
| 全封装 | 国产替代 |
HY2920 CS2920 AP2920 |
200V/130A 通用替代型号 |
| 对比项目 | KIA2920系列 | 行业同类竞品 |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 9.0mΩ 更低损耗 | 普遍12~25mΩ |
| 雪崩能力 | 2000mJ 高可靠 | 普遍偏低，易炸管 |
| 体二极管 | 快恢复，高频更稳 | 常规恢复，损耗偏高 |
| 一致性 | 原厂晶圆，一致性强 | 品质参差不齐 |
| 封装选择 | TO-263/220/247齐全 | 部分封装缺货 |
| 性价比 | 高可靠、低成本 | 进口价高、交期长 |
| 客户常见痛点 | KIA2920系列解决方案 |
|---|---|
| 大功率电源发热严重 | 9.0mΩ超低内阻，降低发热 |
| 高频环境炸管、失效 | 高雪崩+快恢复二极管，更耐用 |
| 设备效率低、温升快 | 低栅极电荷，开关损耗更低 |
| 封装不匹配、难布局 | 三种封装齐全，满足各类设计 |
| 进口货期长、成本高 | 国产原厂，现货稳定、价更优 |
| 高频逆变器、光伏逆变系统 |
| 大功率DC-DC电源转换器 |
| 无刷电机驱动、工业控制器 |
| 储能电源、UPS不间断电源 |
| 高频开关电源、同步整流模块 |
| 电动汽车辅助系统、充电桩 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263 | KIA |
| KCP2920A | TO-220 | KIA |
| KCM2920A | TO-247 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | - | 200 | V |
| 栅源电压 | Vgss | - | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃ | 130 | A |
| Id | Tc=100℃ | 75 | A | |
| 脉冲漏极电流 | Idm | VGS=10V | 440 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | L=10mH | 2000 | mJ |
| 二极管恢复dv/dt | dv/dt | - | 5.0 | V/ns |
| 功耗 | Pd | - | 278 | W |
| 降额系数 | - | 25℃以上 | 2.22 | W/℃ |
| 最高焊接温度 | TL | 引脚1.6mm处10秒 | 300 | ℃ |
| TPAK | 封装本体10秒 | 260 | ℃ | |
| 工作/存储温度 | Tj,Tstg | - | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=200V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| Idss | Vds=160V, Tj=125℃ | - | - | 100 | μA | |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=35A | - | 9.0 | 10.5 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 输入电容 | Ciss | Vgs=0V, Vds=100V, f=1MHz | - | 10686 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 18 | - | pF | |
| 输出电容 | Coss | - | 392 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | Vdd=100V, Id=55A, Vgs=10V | - | 143 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 46 | - | nC | |
| 栅漏电荷(Miller) | Qgd | - | 25 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=100V, Id=55A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V | - | 45 | - | ns |
| 上升时间 | trise | - | 20 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 86 | - | ns | |
| 下降时间 | tfall | - | 16 | - | ns | |
| 连续源极电流 | Isd | PN结二极管电流 | - | - | 110 | A |
| 脉冲源极电流 | Ism | - | - | - | 440 | A |
| 二极管正向电压 | Vsd | Is=70A, Vgs=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Vgs=0V, If=55A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 185 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 469 | - | μC |
| 曲线编号 | 曲线名称 | 说明 |
|---|---|---|
| Figure 1 | On-Region Characteristics | 不同Vgs下的导通特性曲线 |
| Figure 2 | Transfer Characteristics | Id-Vgs关系，不同结温对比 |
| Figure 3 | Rds(on) vs Id & Vgs | 导通电阻随电流和栅压变化 |
| Figure 4 | Rds(on) vs Tj | 归一化导通电阻-结温曲线 |
| Figure 5 | Rds(on) vs Vgs | 导通电阻随栅源电压变化 |
| Figure 6 | Body-Diode Characteristics | 体二极管正向特性曲线 |
| Figure 7 | Gate-Charge Characteristics | Vgs随Qg变化的栅极电荷曲线 |
| Figure 8 | Capacitance Characteristics | 输入/输出/反向电容-电压曲线 |
| Figure 9 | SOA曲线 | 最大正向偏置安全工作区 |
| 电路/波形编号 | 名称 | 用途说明 |
|---|---|---|
| Fig.1.1/1.2 | 二极管恢复dv/dt测试电路 | 测试体二极管恢复特性，dv/dt由Rg控制 |
| Fig.2.1/2.2 | 开关特性测试电路 | 测试开通/关断延迟、上升/下降时间 |
| Fig.3.1/3.2 | 栅极电荷测试电路 | 测量Qg、Qgs、Qgd参数 |
| Fig.4.1/4.2 | 无钳位感性开关测试电路 | 测试单脉冲雪崩能量特性 |
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