160A, 40V 快速开关功率MOSFET，封装：DFN5*6，品牌：KIA
| 采用先进SGT工艺技术 |
| RDS(ON) 典型值1.5mΩ @ VGS=10V |
| 极低栅极电荷，开关性能优异 |
| 提供环保无铅版本可选 |
| 优秀的抗dV/dt干扰能力 |
| 100% ΔVDS测试验证 |
| 100% UIS非钳位感性开关测试 |
| KCY2704B - 40V/160A N沟道快速开关功率MOSFET（DFN5*6封装） |
| 核心产品优势 | |
|---|---|
| 先进SGT工艺 | 采用KIA自研SGT沟槽技术，实现超低导通电阻与优异开关性能平衡 |
| 超低导通电阻 | RDS(ON)典型值仅1.5mΩ @ VGS=10V，大幅降低导通损耗，提升系统效率 |
| 超低栅极电荷 | Qg典型值仅63nC，支持高频开关应用，降低驱动损耗 |
| 高可靠性设计 | 100% ΔVDS & UIS测试，优异的Cdv/dt抑制能力，适配复杂工况 |
| 紧凑封装 | DFN5*6封装，散热性能优异，助力设备小型化设计 |
| 关键电气参数（TA=25℃） | ||
|---|---|---|
| 参数名称 | 参数值 | 单位 |
| 漏源击穿电压 VDS | 40 | V |
| 连续漏极电流 ID (TC=25℃) | 160 | A |
| 连续漏极电流 ID (TC=100℃) | 110 | A |
| 脉冲漏极电流 IDM | 640 | A |
| 导通电阻 RDS(ON) @10V | 1.5（典型）/1.8（最大） | mΩ |
| 栅极电荷 Qg典型值 | 63 | nC |
| 雪崩能量 EAS | 441 | mJ |
| 热阻 RθJC（结到壳） | 1.35 | ℃/W |
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主流平替产品对标对比
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|---|---|---|---|---|
| 型号 | 品牌 | 封装 | 核心参数 | KCY2704B优势 |
| STL160N4F8 | ST（意法半导体） | PowerFLAT 5x6 | 40V/154A, RDS(ON)≈2.1mΩ | 更低RDS(ON)，更高电流等级，成本优势显著 |
| NCEP40T15AGU | NCE（新洁能） | DFN5X6-8L | 40V/150A, RDS(ON)≈1.5mΩ | 更高脉冲电流（640A vs 600A），更强抗雪崩能力 |
| HYG015N04LS1C2 | HUAYI（华羿微） | PDFN5x6 | 40V/150A, RDS(ON)≈2.0mΩ | 更低导通电阻，更低开关损耗，适配高频场景 |
| JMSL0401BG | JJW（捷捷微） | PDFN5x6-8L | 40V/243A, RDS(ON)≈1.0mΩ | 更高性价比，参数冗余合理，无过度设计 |
| 典型应用场景 | |
|---|---|
| BLDC电机驱动 | 电动工具、工业吸尘器、无人机电机驱动桥，支持大电流持续输出 |
| DC/DC转换器 | 同步整流电源、服务器电源、车载充电器，高频高效转换 |
| 电池保护与管理 | 动力电池包保护板、BMS系统，低损耗大电流路径开关 |
| 负载开关与配电 | 工业电源分配模块、汽车电子负载开关，高可靠性配电 |
| 快充适配器 | 多口PD快充、氮化镓适配器同步整流管，提升转换效率 |
| 封装与引脚定义 | |
|---|---|
| 封装形式 | DFN5*6（8引脚，底部散热片设计） |
| 引脚功能 | 引脚4：栅极(Gate) 引脚5/6/7/8：漏极(Drain) 引脚1/2/3：源极(Source) |
| 散热特性 | 底部大面积散热焊盘，RθJC仅1.35℃/W，优异热传导性能 |
| 订购信息 | ||
|---|---|---|
| 型号 | 封装 | 品牌 |
| KCY2704B | DFN5*6 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 可靠性保障 | |
|---|---|
| 测试标准 | 100% 动态雪崩(UIS)、ΔVDS测试，符合AEC-Q100工业级可靠性标准 |
| 工作温度范围 | -55℃ ~ +150℃，宽温域适配各类严苛环境 |
| 环保特性 | 无铅、无卤绿色器件，符合RoHS标准，满足环保设计要求 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 4 | 栅极（Gate） |
| 5, 6, 7, 8 | 漏极（Drain） |
| 1, 2, 3 | 源极（Source） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCY2704B | DFN5*6 | KIA |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 (VGS=0V) | VDS | 40 | V |
| 栅源极电压 (VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 (TC=25℃) | ID | 160 | A |
| 连续漏极电流 (TC=100℃) | ID | 110 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 640 | A |
| 总功耗 (TC=25℃) | PD | 111.1 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 441 | mJ |
| 结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.35 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V, TC=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 1.5 | 1.8 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=20A | - | 2.0 | 2.6 | mΩ | ||
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 2.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 3250 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 1570 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 60 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | Td(on) | VDS=20V, VGS=10V, RG=2.0Ω, ID=30A | - | 17 | - | ns |
| 上升时间 | Tr | - | 9 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | Td(off) | - | 58 | - | ns | |
| 下降时间 | Tf | - | 30 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=20V, VGS=10V, ID=30A | - | 63 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 8.5 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 10 | - | nC | |
| 体二极管源漏电流 | ISD | - | - | - | 160 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs | - | 53 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 70 | - | nC |
注：以上参数基于原厂datasheet整理，测试条件以文档说明为准。
联系方式：邹先生
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