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KNS8104A 40V MOSFET 电源 / 电机驱动专用

信息来源:本站 日期:2026-05-26 

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KNS8104A 40V MOSFET 电源 / 电机驱动专用

30A 持续电流,快速开关,电池保护 / DC-DC 专用


KNS8104A

KNS8104A 40V/30A N沟道MOSFET - KIA半导体

KNS8104A - 40V/30A N沟道功率MOSFET(SOT-89封装)
产品核心特性
KNS8104A N沟道MOSFET(SOT-89封装)官方介绍
产品宣传亮点
超低导通损耗,高效节能
SOT-89小体积,适合高密度布局
快速开关,适合高频电源应用
100%雪崩测试,高可靠性
工业级品质,宽温工作稳定
核心电气参数(TA=25℃)
参数 符号 单位
漏源击穿电压 VDS 40 V
连续漏极电流 ID 30 A
脉冲漏极电流 IDM 120 A
导通电阻(10V) RDS(ON) 12
栅极阈值电压 VGS(TH) 1.0~2.5 V
总栅极电荷 Qg 18 nC
工作温度 Tj -55~150

主流平替替代型号对比

KNS8104A

品牌 型号 封装 对应KNS8104A
AO AO3400/AO3401 SOT-23/SOT-89 同电流同电压竞品
ON NTD4960N SOT-89 40V 30A直接替代
DIODES DMN3008LK SOT-89 同规格对标型号
新洁能 NCE3080 SOT-89 40V系列直接竞品
华羿微 HY010N40 SOT-89 同参数对标型号
捷捷微 JJW30N40 SOT-89 同规格竞品
长电 CJ30N40 SOT-89 主流对标型号
韦尔 WSD3090 SOT-89 同电压电流竞品
典型应用领域
DC-DC电源模块、同步整流
锂电池保护板、电池充放电
小家电驱动、电机控制
LED驱动、负载开关
便携式设备、安防电源
高频开关、PWM控制电路
封装与引脚定义
封装形式 SOT-89 贴片封装
引脚1 栅极 G
引脚2 漏极 D
引脚3 源极 S
品质与可靠性
符合RoHS环保标准
无卤、无铅,绿色器件
100%通过UIS雪崩测试
工业级高稳定性,长寿命

超低导通电阻RDS(ON)典型值12mΩ @ VGS=10V,损耗更低低反向传输电容低CRSS设计,开关速度更快快速开关性能开关延迟与上升/下降时间短,高频适配高可靠性测试100%雪崩测试,抗浪涌能力强优异抗干扰能力改进的dv/dt能力,抗干扰性能更强
典型应用场景
PWM控制电路 电机驱动、调光电路、脉冲信号控制
电源管理系统 DC-DC转换器、开关电源、LDO辅助电路
负载开关应用 电池保护板、电源分配模块、电子开关
封装与引脚定义
封装形式 引脚编号 引脚功能
SOT-89(3引脚) 1 栅极(Gate)
2 漏极(Drain)
3 源极(Source)
订购信息
型号 封装 品牌
KNS8104A SOT-89 KIA SEMICONDUCTORS
绝对最大额定值(TC=25℃)
参数名称 符号 额定值 单位
漏源电压 VDSS 40 V
连续漏极电流 ID (TC=25℃) 30 A
ID (TC=100℃) 19 A
脉冲漏极电流 IDM 120 A
栅源电压 VGS ±20 V
单脉冲雪崩能量 EAS 25 mJ
耗散功率(TC=25℃) PD 48 W
工作/存储温度范围 TJ, TSTG -55 ~ +150
焊接引脚最高温度 TL 300
电气特性(TC=25℃)
参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 40 - - V
漏源泄漏电流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - 1 1 uA
栅源正向泄漏电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 1.0 1.5 2.5 V
漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=20A - 12 16
VGS=4.5V, ID=10A - 16.5 24
栅极电阻 RG f=1MHz - 4 - Ω
输入电容 CISS VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz - 850 - pF
输出电容 COSS - 70 - pF
反向传输电容 CRSS - 62 - pF
开通延迟时间 td(on) VGS=10V, VDS=30V, RG=4.7Ω, ID=30A - 4 - ns
上升时间 tr - 8 - ns
关断延迟时间 td(off) - 30 - ns
下降时间 tf - 10 - ns
总栅极电荷 Qg(10V) VDS=20V, ID=30A, VGS=10V - 18 - nC
栅源电荷 Qgs - 2.5 - nC
栅漏电荷 Qgd - 5 - nC
体二极管正向电流 IS - - - 30 A
体二极管脉冲电流 ISM - - - 120 A
二极管正向电压 VSD ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1.2 V
测试条件说明
重复额定值 脉冲宽度受最高结温限制,占空比≤0.5%
雪崩测试条件 TJ=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, RG=25Ω
脉冲测试条件 脉冲宽度≤300us,占空比≤0.5%

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNS8104A

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