参数对标进口型号，成本更低，批量供货稳定
| 65R700 - 650V/7A N沟道功率MOSFET（TO-220F封装） |
| KIA65R700FS N沟道MOSFET（TO-220F封装）官方介绍 |
| 产品核心宣传亮点 | |
| 650V超高压，7A大电流，工业级稳定输出 | |
| 超低导通电阻，降低损耗，提升转换效率 | |
| 低栅极电荷，开关速度快，适配高频电源 | |
| 优异抗雪崩能力，耐冲击，可靠性更强 | |
| TO-220F全绝缘封装，安全易安装 | |
| 宽温工作-55~150℃，适应严苛环境 | |
| 100%雪崩测试，品质稳定，长期耐用 | |
| 核心电气参数（TC=25℃） | |||
| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 650 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 7 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 10 | A |
| 导通电阻(10V) | RDS(ON) | 0.6 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | 2.5~4.5 | V |
| 总栅极电荷 | Qg | 8 | nC |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 86 | mJ |
| 工作结温范围 | Tj | -55~+150 | ℃ |
|
650V/7A 同规格平替产型号对照表
|
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| 品牌 | 平替型号 | 封装 | 可替代关系 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | SPA06N65C3 | TO-220F | 直接对标替代 |
| 安森美 | NTD65N02 | TO-220F | 参数高度一致 |
| 意法 | STP6N65M5 | TO-220F | 同规格竞品 |
| 新洁能 | NCE65T70F | TO-220F | 国产直接替代 |
| 华羿微 | HY65060F | TO-220F | 同参数对标 |
| 捷捷微 | JJW65N65 | TO-220F | 同规格竞品 |
| 长电 | CJ65N70 | TO-220F | 主流对标型号 |
| 韦尔 | WSP65N70 | TO-220F | 同规格竞品 |
| 典型应用领域 | |
| AC/DC开关电源、适配器、充电器 | |
| LED驱动电源、路灯、工业照明 | |
| 服务器电源、工业电源模块 | |
| 家电控制板、电磁炉、微波炉 | |
| 高压逆变器、UPS不间断电源 | |
| 电动车充电器、通信电源设备 | |
| 产品概述 | |
|---|---|
| 采用KIA先进超结技术，专为AC/DC电源转换设计。 | |
| 低导通损耗，优异开关性能，高抗雪崩能力。 | |
| 适用于开关电源，提升转换效率，工作更稳定。 |
| 产品核心特性 | |
|---|---|
| 超低导通电阻 | RDS(ON)典型值0.6Ω @ VGS=10V，损耗更低 |
| 低栅极电荷 | 典型值仅25nC，开关速度快，驱动损耗低 |
| 高坚固性设计 | 优异抗雪崩能力，应对高压脉冲冲击 |
| 快速开关性能 | 开关延迟与上升/下降时间短，高频适配 |
| 高可靠性测试 | 100%雪崩测试，抗浪涌能力强 |
| 优异抗干扰能力 | 改进的dv/dt能力，抗干扰性能更强 |
| 封装与引脚定义 | ||
|---|---|---|
| 封装形式 | 引脚编号 | 引脚功能 |
| TO-220F（3引脚） | 1 | 栅极（Gate） |
| 2 | 漏极（Drain） | |
| 3 | 源极（Source） | |
| 绝对最大额定值（TC=25℃） | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏源电压 | VDSS | 650 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID (TC=25℃) | 7 | A |
| ID (TC=100℃) | 5 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 10 | A |
| 雪崩能量 | EAR (重复) | 43 | mJ |
| EAS (单脉冲) | 86 | mJ | |
| 雪崩电流 | IAR | 1.7 | A |
| 二极管恢复dv/dt | dv/dt | 4.5 | V/ns |
| 耗散功率 | PD (TC=25℃) | 35 | W |
| 降额系数（25℃以上） | 0.3 | W/℃ | |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 焊接引脚最高温度 | TL | 300 | ℃ |
| 热特性 | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 3.6 | ℃/W |
| 电气特性（TC=25℃） | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | TJ=25℃, VGS=0V, ID=250uA | 650 | - | - | V |
| TJ=125℃, VGS=0V, ID=250uA | 700 | - | - | V | ||
| 零栅压漏源电流 | IDSS | VDS=650V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| VDS=480V, TC=125℃ | - | - | 10 | uA | ||
| 栅体泄漏电流 | IGSS | 正向: VGS=30V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 反向: VGS=-30V, VDS=0V | - | - | -100 | nA | ||
| 击穿电压温度系数 | ΔBVDSS/ΔTJ | ID=250uA, 参考25℃ | - | 0.6 | - | V/℃ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.5 | 3.5 | 4.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=3.5A | - | 0.6 | 0.7 | Ω |
| 正向跨导 | gFS | VDS=40V, ID=3.5A | - | 16 | - | S |
| 输入电容 | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 360 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | - | 25 | - | pF | |
| 反向传输电容 | CRSS | - | 1.2 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=400V, ID=3.5A, RG=20Ω | - | 25 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 55 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 70 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 40 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=480V, ID=7A, VGS=10V | - | 8 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 2.0 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 2.7 | - | nC | |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, ISD=A | - | 1.5 | - | V |
| 连续漏源二极管电流 | IS | - | - | - | 7 | A |
| 脉冲漏源二极管电流 | ISM | - | - | - | 18 | A |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, ISD=7A, di/dt=100A/μs | - | 190 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 2.3 | - | μC | |
| ?? 测试条件说明 | |
|---|---|
| 重复额定值 | 脉冲宽度受最高结温限制，占空比≤2% |
| 雪崩测试条件 | L=60mH, IAS=1.7A, VDD=150V, TJ=25℃ |
| dv/dt测试条件 | ISD≤7.0A, di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS |
| 脉冲测试条件 | 脉冲宽度≤300us，占空比≤2% |
| 典型应用场景 | |
|---|---|
| AC/DC开关电源 | 适配器、充电器、工业电源、服务器电源 |
| LED驱动电源 | 大功率LED路灯、景观灯、工业照明驱动 |
| 电源转换模块 | DC-DC转换器、车载电源、工业电源模块 |
| 高压驱动电路 | 家电控制板、工业控制电路、逆变器 |
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