78mΩ超低导通电阻 100%雪崩能量测试 工业级高可靠性
型号：KIA23P10A
类型：P沟道MOSFET
额定参数：-23A，-100V
封装：TO-252
| 项目 | 参数说明 |
|---|---|
| 产品型号 | KIA23P10A |
| 封装类型 | TO-252 |
| 器件类型 | P沟道增强型MOSFET |
| 关键规格 | -100V / -23A / RDS(on)=78mΩ |
| 适用领域 | 电源、电机驱动、电池保护、负载开关 |
| 超低导通电阻，损耗更低、温升更小 |
| 100%雪崩能量测试，可靠性更强 |
| 栅极电荷低，开关速度更快 |
| 抗dv/dt能力强，系统更稳定 |
| 符合RoHS，无铅环保，批量稳定 |
| 品牌 | 平替型号 | 规格对标 |
|---|---|---|
| 万代/AOS | AO4407A | -30V/-18A，低压对标 |
| 万代/AOS | AO4411 | -40V/-20A，中压对标 |
| 威兆/VS | VS3622DE | -100V/-22A，同规格对标 |
| 新洁能/NCE | NCE60P25 | -60V/-25A，高压对标 |
| 新洁能/NCE | NCE100P25 | -100V/-25A，直接对标 |
| 长电/CJ | CJLD10P25 | -100V/-25A，直接对标 |
| 华之美 | HM9926A | -20V/-6A，低压小电流 |
| 矽塔 | SI7123DP | -100V/-23A，完全对标 |
| 安森美 | NTD4960N | -60V/-27A，中高压对标 |
| 安森美 | NTD5860N | -60V/-32A，大电流对标 |
| 英飞凌 | IRLML6402 | -20V/-4.3A，小信号 |
| 台产/UTC | UTD100P25L | -100V/-25A，直接对标 |
| 标题：KIA23P10A -100V/-23A P沟道MOSFET |
| 副标题：TO-252封装，低阻高效，高可靠性 |
| 宣传语1：更低内阻，更低发热，更长寿命 |
| 宣传语2：雪崩能量全测，恶劣环境更稳定 |
| 宣传语3：开关性能优异，适合高频高效应用 |
| 适用场景：电池管理、电机驱动、电源模块、 |
| LED驱动、负载开关、安防电源、工业控制 |
| 品质承诺：原厂稳定供货，一致性好， |
| 无铅环保，符合行业标准 |
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | -100 | V |
| 连续漏极电流 | ID | -23 | A |
| 导通电阻 | RDS(on) | 78 | mΩ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 雪崩能量 | EAS | 157.2 | mJ |
| 工作温度 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | 栅极（Gate） |
| 2 | 漏极（Drain） |
| 3 | 源极（Source） |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | -100 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
|
连续漏极电流 VGS=-10V |
ID | -23（Tc=25℃） | A |
| -16（Tc=100℃） | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | -75 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 157.2 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | 18.9 | A |
| 总耗散功率（TA=25℃） | PD | 96 | W |
| 结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55~150 | ℃ |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVOSS | VGS=0V, ID=-250μA | -100 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS |
VDS=-100V,VGS=0V TJ=25℃ |
- | - | -50 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -1.2 | -1.78 | -2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-10A | - | 78 | 95 | mΩ |
| VGS=-4.5V, ID=-8A | - | 86 | 110 | mΩ | ||
| 正向跨导 | gFS | VDS=-10V, ID=-10A | - | 24 | - | S |
| 总栅极电荷 | Qg |
VDS=-50V, VGS=-10V ID=-20A |
- | 44.5 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 9.13 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 5.93 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) |
VDD=-50V, RG=3.3Ω VGS=-10V, ID=-10A |
- | 12 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 27.4 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 79 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 53.6 | - | ns | |
| 输入电容 | Ciss |
VGS=0V, VDS=-20V F=1.0MHz |
- | 3029 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 129 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 76 | - | pF | |
| 连续源极电流 | IS | VG=0V，强制电流 | - | - | -23 | A |
| 二极管正向电压 | VSD |
VGS=0V, IS=-1A TJ=25℃ |
- | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr |
IF=-8A, di/dt=100A/μs TJ=25℃ |
- | 38.7 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 22.4 | - | nC |
注1：数据基于1平方英寸FR-4板、2盎司铜表面贴装测试。
注2：脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤2%。
注3：EAS测试条件：VDD=-25V，VGS=-10V，L=0.88mH，IAS=-18.9A。
注4：功耗受150℃结温限制。
注5：理论上IS与ID、IDM相同，实际应用需受总功耗限制。
联系方式：邹先生
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