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KNP4540A/KNF4540A 400V 6A MOS管 TO-220/TO-220F

信息来源:本站 日期:2026-05-27 

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KNP4540A/KNF4540A 400V 6A MOS管 TO-220/TO-220F

低阻低损耗 开关电源/适配器专用 原厂直供

KNP4540A/KNF4540A

KNX4540A 产品规格书详情

KNX4540A - N沟道MOSFET规格书

1. 产品基础信息

项目 参数说明
产品型号 KNX4540A(KNP4540A/KNF4540A)
器件类型 N沟道增强型MOSFET
关键规格 400V / 6A / RDS(on)=0.8Ω
封装类型 TO-220(KNP4540A)、TO-220F(KNF4540A)

一、产品基本信息

项目 参数
产品型号 KNP4540A / KNF4540A
封装类型 TO-220 / TO-220F 全绝缘
器件类型 N沟道增强型MOSFET
核心规格 400V 6A RDS(on)=0.8Ω
适用领域 开关电源、适配器、充电器、待机电源

二、核心产品优势

400V高压耐压,工作更安全稳定
低导通电阻,降低发热与损耗
低栅极电荷,开关速度快效率高
内置快恢复体二极管,抗冲击强
TO-220F绝缘封装,安全不短路
符合RoHS无铅环保,批量一致性好

三、全品牌直接平替型号对照表

KNP4540A/KNF4540A

品牌 竞品型号 规格对标
英飞凌 SPA04N400 400V 4A 直接对标
英飞凌 IPA06N400 400V 6A 完全对标
安森美 NTKT6A40 400V 6A 直接对标
万代/AOS AOT4N60 600V 4A 高压对标
新洁能 NCE4060 400V 6A 直接对标
新洁能 NCE4050 400V 5A 同类对标
长电 CJQ40N60 600V 4A 高压对标
士兰微 SVF4N60 600V 4A 同类对标
华微 HY4004P 400V 4A 直接对标
UTC 2N40A 400V 2A 低压对标
UTC 4N40A 400V 4A 直接对标
捷捷微 JJW4N60 600V 4A 同类对标
东微 TDM4N60 600V 4A 同类对标

四、官网宣产品KNP4540A/KNF4540A 400V/6A高压MOS管介绍

标题:KNP4540A/KNF4540A 400V/6A高压MOS管
副标题:TO-220/TO-220F 电源专用低损耗MOSFET
宣传卖点1:400V高耐压,电源系统更安全
宣传卖点2:低内阻低发热,长期工作更稳定
宣传卖点3:TO-220F全绝缘,安装安全不打火
宣传卖点4:快恢复二极管,抗浪涌能力更强
适用场景:开关电源、电源适配器、充电器、
LED驱动、工业电源、家电控制板
品质承诺:原厂正品,一致性好,
长期稳定供货,无铅环保

五、核心参数速览

参数 符号 数值 单位
漏源电压 VDS 400 V
连续电流 ID 6.0 A
导通电阻 RDS(on) 0.8 Ω
栅源电压 VGS ±30 V
工作温度 TJ -55~150
封装 - TO-220/TO-220F -

2. 通用特性

符合RoHS环保标准,无铅工艺制造
低导通电阻RDS(on)=0.8Ω(典型值,VGS=10V)
低栅极电荷,有效降低开关损耗
内置快恢复体二极管,反向恢复性能优异

3. 应用领域

电源适配器、充电器
开关电源(SMPS)待机电源电路

4. 引脚配置说明

引脚号 功能定义
1 栅极(Gate)
2 漏极(Drain)
3 源极(Source)
4(TO-220封装) 漏极(Drain,散热脚)

5. 订购信息

部件型号 封装 品牌
KNP4540A TO-220 KIA
KNF4540A TO-220F KIA

6. 绝对最大额定值(Tc=25℃)

参数名称 符号 KNP4540A/KNF4540A 单位
漏源电压 VDS 400 V
栅源电压 VGS ±30 V
连续漏极电流 ID 6.0 A
脉冲漏极电流(VGS=10V) IDM 24 A
单脉冲雪崩能量 EAS 200 mJ
耗散功率 PD 75(KNP4540A) W
25(KNF4540A) W
25℃以上降额系数 - 0.6(KNP4540A) W/℃
0.2(KNF4540A) W/℃
焊接引脚最高温度(10秒) TL 300
封装体最高温度(10秒) TPAK 260
工作/存储温度范围 TJ&TSTG -55 ~ 150

7. 热特性参数

参数名称 符号 KNP4540A KNF4540A 单位
结到外壳热阻 RθJC 1.67 5.0 ℃/W
结到环境热阻 RθJA 62 100 ℃/W

8. 电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)

关断特性

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
漏源击穿电压 BVOSS VGS=0V, ID=250μA 400 - - V
漏源漏电流 IDSS VDS=400V, VGS=0V - - 1 μA
VDS=320V, VGS=0V, TJ=125℃ - - 100 μA
栅源漏电流 IGSS VGS=+20V, VDS=0V - - +1.0 μA
VGS=-20V, VDS=0V - - -1.0 μA

导通特性

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=3.0A - 0.8 1.0 Ω
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 - 4.0 V
正向跨导 gFS VDS=15V, ID=3A - 5.0 - S

动态特性

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz - 490 - pF
反向传输电容 Crss - 7.5 - pF
输出电容 Coss - 63 - pF
总栅极电荷 Qg VDD=200V, ID=6A, VGS=0 to 10V - 14 - nC
栅源电荷 Qgs - 3.1 - nC
栅漏电荷(米勒电荷) Qgd - 6.4 - nC

电阻开关特性

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
开通延迟时间 td(on) VDD=200V, ID=6A, VGS=10V, RG=9.1Ω - 8.1 - ns
上升时间 trise - 10.2 - ns
关断延迟时间 td(off) - 26 - ns
下降时间 tfall - 14 - ns

源漏体二极管特性

参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
连续源极电流 ISD MOSFET内集成PN结二极管 - - 6.0 A
脉冲源极电流 ISM - - 24 A
二极管正向电压 VSD IS=30A, VGS=0V - - 1.5 V
反向恢复时间 trr VGS=0V, IF=6A, diF/dt=100A/μs - 305 - ns
反向恢复电荷 Qrr - 840 - uC

9. 备注说明

注1:工作结温范围为+25℃到+150℃。

注2:脉冲测试条件:脉宽≤380μs,占空比≤2%。

警告:超过绝对最大额定值的应力可能导致器件永久损坏。

10. 典型特性曲线(参考)

1. 正向偏置安全工作区(SOA)曲线
2. 耗散功率与外壳温度关系曲线
3. 连续漏极电流与外壳温度关系曲线
4. 典型输出特性曲线(ID vs VDS)
5. 归一化瞬态热阻抗曲线
6. 峰值电流能力曲线
7. 传输特性曲线(ID vs VGS)
8. 导通电阻与栅极电压/漏极电流关系曲线
9. 导通电阻与漏极电流关系曲线
10. 导通电阻与结温关系曲线
11. 阈值电压与结温关系曲线
12. 击穿电压与结温关系曲线
13. 电容与漏源电压关系曲线
14. 栅极电荷与栅源电压关系曲线
15. 体二极管传输特性曲线
16. 无钳位电感开关能力曲线


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

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KNP4540A/KNF4540A

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