低阻低损耗 开关电源/充电器专用 原厂直供
| 项目 | 参数说明 |
|---|---|
| 产品型号 | KNF6765A |
| 器件类型 | N沟道增强型MOSFET |
| 关键规格 | 650V / 16A / RDS(on)=0.45Ω |
| 封装类型 | TO-220F（全绝缘封装） |
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 产品型号 | KNF6765A |
| 封装类型 | TO-220F 全绝缘封装 |
| 器件类型 | N沟道增强型MOSFET |
| 核心规格 | 650V 16A RDS(on)=0.45Ω |
| 适用领域 | 开关电源、适配器、充电器、工业电源 |
| 650V超高耐压，电源系统更安全 |
| 0.45Ω低内阻，低损耗低发热 |
| TO-220F全绝缘，安装安全不短路 |
| 低栅极电荷，开关速度快效率高 |
| 内置快恢复体二极管，抗浪涌能力强 |
| 符合RoHS无铅环保，批量一致性好 |
| 品牌 | 平替型号 | 规格对标 |
|---|---|---|
| 英飞凌 | IPA16N65C | 650V 16A 完全对标 |
| 英飞凌 | SPA16N65C | 650V 16A 直接对标 |
| 安森美 | NTD16N65 | 650V 16A 直接对标 |
| 新洁能 | NCE65T160 | 650V 16A 完全对标 |
| 新洁能 | NCE65T180 | 650V 18A 同类对标 |
| 长电 | CJQ16N65 | 650V 16A 直接对标 |
| 士兰微 | SVF16N65 | 650V 16A 直接对标 |
| 华微 | HY65160 | 650V 16A 完全对标 |
| UTC | 16N65 | 650V 16A 直接对标 |
| 捷捷微 | JJW16N65 | 650V 16A 直接对标 |
| 东微 | TDM16N65 | 650V 16A 直接对标 |
| 万代/AOS | AOT16N65 | 650V 16A 完全对标 |
| 标题：KNF6765A 650V/16A高压MOS管 |
| 副标题：TO-220F全绝缘 电源专用低损耗MOSFET |
| 产品特点1：650V高耐压，适配高压电源系统 |
| 产品特点2：低内阻低发热，长期工作更稳定 |
| 产品特点3：TO-220F全绝缘，安装安全更可靠 |
| 产品特点4：快恢复二极管，抗冲击能力更强 |
| 适用场景：开关电源、电源适配器、充电器、 |
| LED驱动、工业电源、家电控制、逆变电源 |
| 品质承诺：原厂正品，一致性好， |
| 长期稳定供货，无铅环保 |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 650 | V |
| 连续电流 | ID | 16 | A |
| 导通电阻 | RDS(on) | 0.45 | Ω |
| 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
| 工作温度 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 封装 | - | TO-220F | - |
| 采用专利全新平面工艺制造 |
| 符合RoHS环保标准，无铅工艺 |
| 低导通电阻RDS(on)=0.45Ω（典型值，VGS=10V） |
| 低栅极电荷，有效降低开关损耗 |
| 内置快恢复体二极管，反向恢复性能优异 |
| 电源适配器、充电器 |
| 开关电源（SMPS）待机电源电路 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | 栅极（Gate） |
| 2 | 漏极（Drain） |
| 3 | 源极（Source） |
| 部件型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNF6765A | TO-220F | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 650 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 16 | A |
| 脉冲漏极电流（VGS=10V） | IDM | 64 | A |
| 单脉冲雪崩能量（L=30mH） | EAS | 1100 | mJ |
| 耗散功率 | PD | 65 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 0.52 | W/℃ |
| 焊接引脚最高温度（10秒） | TL | 300 | ℃ |
| 封装体最高温度（10秒） | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作/存储温度范围 | TJ&TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.92 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 100 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVOSS | VGS=0V, ID=250μA | 650 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=650V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=520V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | ||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=8A | - | 0.45 | 0.55 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz | - | 2300 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 220 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 100 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=325V, ID=16A, VGS=10V | - | 35 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 10 | - | nC | |
| 栅漏电荷（米勒电荷） | Qgd | - | 6 | - | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=325V, ID=16A, VGS=10V, RG=25Ω | - | 30 | - | ns |
| 上升时间 | trise | - | 40 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 80 | - | ns | |
| 下降时间 | tfall | - | 40 | - | ns |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 连续源极电流 | ISD | MOSFET内集成PN结二极管 | - | - | 16 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | 64 | A | |
| 二极管正向电压 | VSD | IS=16A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IS=16A, VGS=10V, di/dt=100A/μs | - | 550 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 4.2 | - | uC |
注1：工作结温范围为+25℃到+150℃。
注2：脉冲测试条件：脉宽≤380μs，占空比≤2%。
注3：雪崩测试条件：ISD=16A, di/dt<100A/μs, VDD
警告：超过绝对最大额定值的应力可能导致器件永久损坏。
| 1. 结到外壳归一化瞬态热阻抗曲线 |
| 2. 耗散功率与外壳温度关系曲线 |
| 3. 连续漏极电流与外壳温度关系曲线 |
| 4. 典型输出特性曲线（ID vs VDS） |
| 5. 导通电阻与栅极电压/漏极电流关系曲线 |
| 6. 峰值电流能力曲线 |
| 7. 传输特性曲线（ID vs VGS） |
| 8. 无钳位电感开关能力曲线 |
| 9. 导通电阻与漏极电流关系曲线 |
| 10. 导通电阻与结温关系曲线 |
| 11. 击穿电压与结温关系曲线 |
| 12. 阈值电压与结温关系曲线 |
| 13. 安全工作区（SOA）曲线 |
| 14. 电容与漏源电压关系曲线 |
| 15. 栅极电荷与栅源电压关系曲线 |
| 16. 体二极管传输特性曲线 |
联系方式：邹先生
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