超低内阻 1.05mΩ 国产替代进口 工业级高可靠
240A 快速开关功率MOSFET | 封装：DFN5*6
KCY1804A 40V N沟道功率MOSFET，DFN5*6超薄封装
240A大电流，超低内阻1.05mΩ，工业级高可靠性
先进SGT工艺，快速开关，高效节能，无铅环保
100%雪崩/耐压测试，适用于电源、电机驱动、逆变器
完美替代进口/国产同规格型号，性价比之王
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 电压 | 电流 |
|---|---|---|---|---|
| 华羿微 | HY1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 新洁能 | NCEP1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 韦尔 | WSD1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 锐骏 | RU1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 士兰微 | SL1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 富满 | FM1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 电压 | 电流 |
|---|---|---|---|---|
| 英飞凌 | IRLHS6044 | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 安森美 | NTMFS4C1804 | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 威世 | SiS1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 美信 | MAX1804A | DFN5*6 | 40V | 240A |
| 优势维度 | 产品亮点 |
|---|---|
| 封装优势 | DFN5*6小型化，节省PCB空间，散热优异 |
| 导通内阻 | 1.05mΩ超低内阻，降低损耗，提升效率 |
| 电流能力 | 240A连续电流，960A脉冲，大负载适配 |
| 开关性能 | 低栅极电荷，快速开关，高频场景适配 |
| 可靠性 | 100%UIS雪崩测试，-55~150℃宽温工作 |
| 兼容性 | Pin to Pin兼容所有竞品，直接替换 |
| 成本 | 国产高性价比，稳定供货，交期优势 |
| 开关电源 | 服务器电源、适配器、快充电源 |
| 电机驱动 | 无刷电机、工业电机、电动工具 |
| 储能设备 | 光伏逆变器、储能变流器、BMS |
| 汽车电子 | 车载电源、车灯驱动、车身控制 |
| 消费电子 | 快充、充电宝、电动玩具、小家电 |
| 参数 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|
| 型号 | KCY1804A | - |
| 封装 | DFN5*6 | - |
| 类型 | N沟道MOSFET | - |
| 漏源电压 | 40 | V |
| 连续电流 | 240 | A |
| 导通电阻 | 1.05 | mΩ |
| 工作温度 | -55~150 | ℃ |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 4 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| 1,2,3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCY1804A | DFN5*6 | KIA (KMOS) |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 (VGS=0V) | VDS | 40 | V |
| 栅源极电压 (VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 ID | TC=25℃ | 240 | A |
| TC=100℃ | 154 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 960 | A |
| 总功耗 (TC=25℃) | PD | 143 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.05 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| 导通电阻 RDS(ON) | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 1.05 | 1.25 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=20A | - | 1.45 | 1.9 | mΩ | ||
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, f=300KHz | - | 3.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=300KHz | - | 6210 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 3750 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 90 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | Td(on) | VDS=20V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A | - | 20 | - | ns |
| 上升时间 | Tr | - | 85 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | Td(off) | - | 90 | - | ns | |
| 下降时间 | Tf | - | 98 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=20V, VGS=10V, ID=30A | - | 95 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 18 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 11 | - | nC | |
| 体二极管正向电流 | ISD | - | - | - | 240 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs | - | 66 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 54 | - | nC |
注：1. 数据基于1英寸2 FR-4板、2盎司铜层表面安装测试；2. 脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤2%；3. 雪崩测试条件：VDD=24V, VGS=10V, L=0.5mH, IAS=60A；4. 功耗受175℃结温限制；5. 体二极管电流理论上等于ID/IDM，实际应用需受总功耗限制。
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