KNP2804C 40V/150A 3.0mΩ低内阻MOSFET
TO-220/TO-263封装 | KIA半导体
KNP2804C/KNB2804C 40V N沟道功率MOSFET
TO-220/TO-263双封装，150A大电流输出
3.0mΩ超低内阻，高效低损耗，稳定性更强
先进沟槽工艺，优异FOM值，开关速度快
宽温工作-55~150℃，工业级高可靠
适用于电机驱动、电源、BMS、UPS等领域
Pin to Pin兼容主流型号，直接替代无需改板
| 参数项 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|
| 产品型号 | KNP2804C / KNB2804C | - |
| 封装类型 | TO-220 / TO-263 | - |
| 漏源电压 | 40 | V |
| 连续电流 | 150 | A |
| 导通电阻 | 3.0 | mΩ |
| 工作温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 工艺类型 | 先进沟槽MOS工艺 | - |
| 品牌 | 平替型号 | 封装 | 电压 | 电流 |
|---|---|---|---|---|
| 华羿微 | HY2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 新洁能 | NCE2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 韦尔 | WSD2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 锐骏 | RU2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 士兰微 | SL2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 富满 | FM2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 电压 | 电流 |
|---|---|---|---|---|
| 英飞凌 | IRL2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 安森美 | NTB2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 威世 | SiR2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 仙童 | FDB2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 优势类别 | 产品亮点 |
|---|---|
| 低损耗性能 | 3.0mΩ超低内阻，发热小，转换效率高 |
| 大电流能力 | 150A连续电流，320A脉冲，重载稳定 |
| 双封装适配 | TO-220/TO-263可选，满足不同安装需求 |
| 高可靠性 | 100%雪崩测试，宽温域，工业级品质 |
| 开关性能 | 低栅极电荷，快速开关，高频场景适配 |
| 替代优势 | 完全Pin to Pin兼容，直接替换进口/国产 |
| 供货保障 | 国产原厂直供，交期稳定，成本优势明显 |
| 电机驱动 | 无刷电机、电动工具、工业电机控制 |
| 电源系统 | 开关电源、UPS、大功率适配器、逆变器 |
| 电池管理 | BMS保护板、储能电源、动力电池系统 |
| 工业控制 | 工控模块、大功率驱动、自动化设备 |
| 汽车电子 | 车载电源、车灯驱动、车身控制系统 |
| 客户痛点 | KNP2804C/KNB2804C解决方案 |
|---|---|
| 进口芯片价格高、交期长 | 国产高性价比，稳定供货，交期短 |
| 大电流场景发热严重 | 超低内阻设计，大幅降低导通损耗 |
| 设备效率低、功耗大 | 优异FOM值，高效节能，提升整机效率 |
| 恶劣环境可靠性差 | 宽温工作，高雪崩能量，稳定性强 |
| 封装选择单一 | TO-220/TO-263双封装，灵活适配 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 4（TO-220封装） | Drain（漏极，散热加强） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2804C | TO-220 | KIA |
| KNB2804C | TO-263 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 | VDSS | 40 | V |
| 栅源极电压 | VGSS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 ID | TC=25℃（硅片限制） | 150 | A |
| TC=100℃（硅片限制） | 90 | A | |
| TC=25℃（封装限制） | 80 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A |
| 雪崩能量 (L=0.5mH,RG=25Ω) | EAS | 225 | mJ |
| 总功耗 (TC=25℃) | PD | 230 | W |
| 结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | 0.54 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 105 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 零栅压漏源漏电流 | IDSS | VDS=36V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 3.0 | 4.0 | mΩ |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V, ID=40A | - | 126 | - | S |
| 动态特性 | ||||||
| 栅极电阻 | RG | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | - | 1.5 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5900 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 690 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 640 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=20V, ID=40A, VGS=10V, RG=3Ω | - | 28 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 68 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 110 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 32 | - | ns | |
| 栅极电荷特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=32V, ID=40A, VGS=10V | - | 120 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 18 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 34 | - | nC | |
| 二极管特性 | ||||||
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A | - | 0.85 | 1.3 | V |
| 漏极连续正向电流 | IS | - | - | - | 150 | A |
| 反向恢复时间 | trr | IF=40A, di/dt=100A/μs | - | 40 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 41 | - | nC | |
注：以上参数基于KIA KNX2804C系列（KNP2804C/KNB2804C）官方数据手册整理，所有数据均在标准测试条件下测得。
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